Paksut, erittäin puhdas piikarbidi (SiC) kerrokset, tyypillisesti yli 1 mm, ovat kriittisiä komponentteja useissa arvokkaissa sovelluksissa, mukaan lukien puolijohdevalmistus ja ilmailuteknologia. Tässä artikkelissa käsitellään kemiallista höyrypinnoitusprosessia (CVD) tällaisten kerrosten tuottamis......
Lue lisääChemical Vapor Deposition (CVD) on monipuolinen ohutkalvopinnoitustekniikka, jota käytetään laajalti puolijohdeteollisuudessa korkealaatuisten, yhdenmukaisten ohutkalvojen valmistukseen erilaisille alustoille. Tämä prosessi sisältää kaasumaisten esiasteiden kemiallisia reaktioita kuumennetun alustan......
Lue lisääTässä artikkelissa tarkastellaan piikarbidiveneiden (SiC) käyttöä ja tulevaisuuden kehityskulkua suhteessa kvartsiveneisiin puolijohdeteollisuudessa keskittyen erityisesti niiden sovelluksiin aurinkokennojen valmistuksessa.
Lue lisääGalliumnitridi (GaN) epitaksiaalinen kiekkojen kasvatus on monimutkainen prosessi, jossa käytetään usein kaksivaiheista menetelmää. Tämä menetelmä sisältää useita kriittisiä vaiheita, mukaan lukien korkean lämpötilan paisto, puskurikerroksen kasvu, uudelleenkiteytyminen ja hehkutus. Kaksivaiheinen k......
Lue lisääSekä epitaksiaaliset että diffuusoidut kiekot ovat puolijohteiden valmistuksessa olennaisia materiaaleja, mutta ne eroavat toisistaan merkittävästi valmistusprosesseissaan ja kohdesovelluksissaan. Tässä artikkelissa käsitellään näiden kiekkotyyppien keskeisiä eroja.
Lue lisääEtsaus on olennainen prosessi puolijohteiden valmistuksessa. Tämä prosessi voidaan luokitella kahteen tyyppiin: kuivaetsaus ja märkäetsaus. Jokaisella tekniikalla on omat etunsa ja rajoituksensa, joten on ratkaisevan tärkeää ymmärtää niiden väliset erot. Joten, miten valitset parhaan etsausmenetelmä......
Lue lisää