Silicon Carbide (SiC) epitaksi on keskeinen teknologia puolijohteiden alalla, erityisesti suuritehoisten elektronisten laitteiden kehittämisessä. SiC on yhdistelmäpuolijohde, jolla on laaja kaistaväli, mikä tekee siitä ihanteellisen sovelluksiin, jotka vaativat korkean lämpötilan ja korkeajännitteis......
Lue lisääEpitaksiaalinen kiekkoprosessi on kriittinen tekniikka, jota käytetään puolijohteiden valmistuksessa. Siihen liittyy ohuen kidemateriaalikerroksen kasvattaminen substraatin päälle, jolla on sama kiderakenne ja -suuntaus kuin substraatilla. Tämä prosessi luo korkealaatuisen rajapinnan näiden kahden m......
Lue lisääEpitaksiaalisia kiekkoja on käytetty elektroniikkateollisuudessa vuosikymmeniä, mutta niiden merkitys on vain kasvanut tekniikan kehittyessä. Tässä artikkelissa tutkimme, mitä epitaksiaaliset kiekot ovat ja miksi ne ovat niin olennainen osa nykyaikaista elektroniikkaa.
Lue lisääPuolijohteet ovat materiaaleja, jotka ohjaavat sähköisiä ominaisuuksia johtimien ja eristeiden välillä yhtä suurella todennäköisyydellä elektronien häviämiseen ja vahvistumiseen atomiytimen uloimmassa kerroksessa, ja niistä tehdään helposti PN-liitoksia. Kuten "pii (Si)", "germanium (Ge)" ja muut ma......
Lue lisää