- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Uutiset
Esittelyssä grafiittiveneen ydinteknologia
Graphite Boat on alansa teknologisen innovaation eturintamassa, ja se sisältää sarjan uraauurtavia edistysaskeleita, jotka on suunniteltu parantamaan suorituskykyä, puhtautta ja käyttöikää. Alla perehdymme ydinteknologioihin, jotka määrittelevät grafiittiveneen erinomaisuuden:
Lue lisää
Huokoinen grafiitti korkealaatuiseen piikarbidikiteiden kasvattamiseen PVT-menetelmällä
Piikarbidi (SiC) on noussut avainmateriaaliksi puolijohdeteknologian alalla, ja se tarjoaa poikkeuksellisia ominaisuuksia, jotka tekevät siitä erittäin toivottavan erilaisissa elektronisissa ja optoelektronisissa sovelluksissa. Laadukkaiden SiC-yksikiteiden tuotanto on ratkaisevan tärkeää tehoelektr......
Lue lisää
3 grafiitin muovausmenetelmää
Grafiitin muovauksen neljä päämuovausmenetelmää ovat: ekstruusiomuovaus, muovaus, täryvalu ja isostaattinen muovaus. Suurin osa markkinoilla olevista tavallisista hiili-/grafiittimateriaaleista on muovattu kuumapursottamalla ja -muovauksella (kylmä tai kuuma), ja isostaattinen muovaus on menetelmä, ......
Lue lisää
Mikä on isostaattinen grafiitti?
Erikoisgrafiitti on grafiittia, jonka hiilimassaosuus on yli 99,99 %, joka tunnetaan myös nimellä "kolme korkea grafiitti" (suuri lujuus, korkea tiheys, korkea puhtaus). Sille on ominaista korkea lujuus, korkea tiheys, korkea puhtaus, korkea kemiallinen stabiilisuus, korkea lämmön- ja sähkönjohtavuu......
Lue lisää
Esittelyssä fyysinen höyrynkuljetus (PVT)
SiC:n omat ominaisuudet määräävät sen yksikiteisen kasvun olevan vaikeampaa. Koska Si:C=1:1 nestefaasia ei ole ilmakehän paineessa, puolijohdeteollisuuden valtavirran omaksumaa kypsää kasvuprosessia ei voida käyttää kypsemmän kasvumenetelmän - suoran vetomenetelmän, laskeutuvan upokkaan kasvattamise......
Lue lisää
Julkaistu 850 V High Power GaN HEMT -epitaksiaalituotteet
Marraskuussa 2023 Semicorex julkaisi 850 V:n GaN-on-Si-epitaksiaaliset tuotteet korkeajännitteisille ja suurvirtaisille HEMT-teholaitesovelluksille. Verrattuna muihin HMET-teholaitteiden substraatteihin, GaN-on-Si mahdollistaa suuremmat kiekkokoot ja monipuolisemmat sovellukset, ja se voidaan myös o......
Lue lisää
