- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Uutiset
Piikarbidi (SiC) Crystal Growth Furnace
Kiteen kasvu on keskeinen lenkki piikarbidialustojen tuotannossa, ja ydinlaitteisto on kiteenkasvatusuuni. Perinteisten kiteisten piilaatuisten kiteenkasvatusuunien tapaan uunin rakenne ei ole kovin monimutkainen ja koostuu pääasiassa uunin rungosta, lämmitysjärjestelmästä, kelan siirtomekanismista,......
Lue lisää
TaC-pinnoitettujen grafiittikomponenttien sovellus- ja kehityshaasteet
Kolmannen sukupolven laajakaistaiset puolijohdemateriaalit, kuten galliumnitridi (GaN) ja piikarbidi (SiC), tunnetaan poikkeuksellisista optoelektronisista muunnos- ja mikroaaltosignaalien siirtoominaisuuksistaan. Nämä materiaalit täyttävät korkeataajuisten, korkeiden lämpötilojen, suuritehoisten ja......
Lue lisää
Piikarbidisovellukset
Piikarbidilla on lukuisia sovelluksia kehittyvillä teollisuudenaloilla ja perinteisillä teollisuudenaloilla. Tällä hetkellä maailmanlaajuiset puolijohdemarkkinat ovat ylittäneet 100 miljardia yuania. Puolijohdevalmistusmateriaalien maailmanlaajuisen myynnin odotetaan saavuttavan vuoteen 2025 menness......
Lue lisää
Mikä on SiC-vene ja mitkä ovat sen erilaiset valmistusprosessit?
SiC-vene, lyhenne sanoista piikarbidivene, on korkeita lämpötiloja kestävä lisävaruste, jota käytetään uuniputkissa kiekkojen kuljettamiseen korkean lämpötilan käsittelyn aikana. Piikarbidin erinomaisten ominaisuuksien, kuten korkeiden lämpötilojen kestävyyden, kemiallisen korroosion ja erinomaisen ......
Lue lisää
Johdatus piikarbidi-ionien istutus- ja hehkutusprosessiin
Perinteisessä piiteholaitteiden valmistuksessa korkean lämpötilan diffuusio ja ioni-implantaatio ovat ensisijaiset menetelmät lisäaineen hallintaan, jokaisella on etunsa ja haittansa. Tyypillisesti korkean lämpötilan diffuusiolle on tunnusomaista sen yksinkertaisuus, kustannustehokkuus, isotrooppise......
Lue lisää
Menetelmä piikarbidijauheen valmistamiseksi
Piikarbidi (SiC) on epäorgaaninen aine. Luonnossa esiintyvän piikarbidin määrä on hyvin pieni. Se on harvinainen mineraali ja sitä kutsutaan moissaniitiksi. Teollisessa tuotannossa käytettävä piikarbidi on enimmäkseen keinotekoisesti syntetisoitua.
Lue lisää
