Kun maailma etsii uusia mahdollisuuksia puolijohdealalla, galliumnitridi (GaN) erottuu edelleen mahdollisena ehdokkaana tulevaisuuden teho- ja RF-sovelluksissa. Lukuisista eduistaan huolimatta GaN:lla on kuitenkin edessään merkittävä haaste: P-tyypin tuotteiden puuttuminen. Miksi GaN:ia ylistetää......
Lue lisää