Kiekkoteline

· Erinomainen lämmönjohtavuus: helpottaa tehokasta lämmönsiirtoa, välttämätön puolijohteiden epitaksiaalisissa kasvuprosesseissa.

· Korkean lämpötilan kestävyys: SiC-pinnoite kestää äärimmäisiä kuumia ympäristöjä, mikä varmistaa, että kantoaine säilyttää suorituskykynsä koko lämpökierron ajan reaktorissa.

· Kemiallinen korroosionkestävyys: SiC-pinnoite parantaa merkittävästi kantoaineen kestävyyttä hapettumista ja korroosiota vastaan ​​reaktiivisista kaasuista, joita usein kohdataan epitaksin aikana.

· Mittojen vakaus: SiC:n ja grafiitin yhdistelmä varmistaa, että alusta säilyttää muotonsa ja tarkkuutensa ajan kuluessa, minimoiden muodonmuutosriskin pitkien prosessien aikana.

Sovellukset puolijohdeepitaksikasvussa

Epitaksi on prosessi, jossa ohut kerros puolijohdemateriaalia kerrostetaan substraatille, tyypillisesti kiekolle, kidehilarakenteen muodostamiseksi. Tämän prosessin aikana kiekkojen tarkkuuskäsittely on kriittistä, sillä pienetkin poikkeamat kiekkojen sijoittelussa voivat aiheuttaa virheitä tai vaihteluita kerrosrakenteessa.

Wafer Carrierilla on keskeinen rooli sen varmistamisessa, että puolijohdekiekot pysyvät tukevasti paikallaan ja sijoitetaan oikein tämän prosessin aikana. Piikarbidilla päällystetyn grafiitin yhdistelmä tarjoaa vaaditut suorituskykyominaisuudet piikarbidin (SiC) epitaksiin, prosessiin, jossa kasvatetaan erittäin puhtaita piikarbidikiteitä käytettäväksi tehoelektroniikassa, optoelektroniikassa ja muissa kehittyneissä puolijohdesovelluksissa.

Erityisesti kiekkoteline:

· Tarjoaa tarkan kiekkojen kohdistuksen: Varmistaa epitaksiaalikerroksen tasaisen kasvun kiekon poikki, mikä on kriittistä laitteen tuoton ja suorituskyvyn kannalta.

· Kestää lämpösyklejä: SiC-pinnoitettu grafiitti pysyy vakaana ja luotettavana jopa korkeissa lämpötiloissa jopa 2000°C asti, mikä varmistaa tasaisen kiekkojen käsittelyn koko prosessin ajan.

· Minimoi kiekkojen saastumisen: Kantoaineen erittäin puhdas materiaalikoostumus varmistaa, että kiekko ei altistu ei-toivotuille epäpuhtauksille epitaksiaalisen kasvuprosessin aikana.

Puolijohde-epitaksireaktoreissa kiekkojen kantoaine sijoitetaan reaktorikammioon, jossa se toimii kiekon tukialustana. Kantaja sallii kiekon altistamisen korkeille lämpötiloille ja reaktiivisille kaasuille, joita käytetään epitaksiaalisessa kasvuprosessissa vaarantamatta kiekon eheyttä. SiC-pinnoite estää kemiallisen vuorovaikutuksen kaasujen kanssa ja varmistaa korkealaatuisen, virheetön materiaalin kasvun.

Piikarbidilla päällystetyn grafiittikiekkotelineen edut

1. Parannettu kestävyys: SiC-pinnoite lisää grafiittimateriaalin kulutuskestävyyttä, mikä vähentää hajoamisriskiä useissa käyttökerroissa.

2. Stabiliteetti korkeissa lämpötiloissa: Wafer Carrier kestää äärimmäisiä lämpötiloja, jotka ovat yleisiä epitaksiaalisissa kasvatusuuneissa, säilyttäen rakenteellisen eheytensä ilman vääntymistä tai halkeilua.

3. Parempi tuotto ja prosessin tehokkuus: Varmistamalla, että kiekkoja käsitellään turvallisesti ja johdonmukaisesti, SiC-pinnoitettu grafiittikiekkojen kantaja auttaa parantamaan epitaksiaalisen kasvuprosessin kokonaissaantoa ja tehokkuutta.

4. Räätälöintivaihtoehdot: Teline voidaan räätälöidä koon ja kokoonpanon suhteen vastaamaan eri epitaksiaalisten reaktorien erityistarpeita, mikä tarjoaa joustavuutta monenlaisiin puolijohdesovelluksiin.

SemicorexSiC-pinnoitettu grafiittiWafer Carrier on keskeinen komponentti puolijohdeteollisuudessa ja tarjoaa optimaalisen ratkaisun kiekkojen käsittelyyn epitaksiaalisen kasvuprosessin aikana. Lämpöstabiilisuuden, kemiallisen kestävyyden ja mekaanisen lujuuden yhdistelmällä se varmistaa puolijohdekiekkojen tarkan ja luotettavan käsittelyn, mikä johtaa laadukkaampiin tuloksiin ja parempaan saantoon epitaksiprosesseissa. Olipa kyseessä piikarbidin epitaksi tai muut edistyneet puolijohdesovellukset, tämä kiekkoteline tarjoaa kestävyyden ja suorituskyvyn, joita vaaditaan nykyaikaisen puolijohdevalmistuksen vaativien standardien täyttämiseksi.