Semicorex-piikarbidigrafiittisubstraatti MOCVD Susceptor on paras valinta puolijohdevalmistajille, jotka etsivät korkealaatuista alustaa, joka tarjoaa erinomaisen suorituskyvyn ja kestävyyden. Sen edistyksellinen materiaali varmistaa tasaisen lämpöprofiilin ja laminaarisen kaasuvirtauskuvion, mikä tuottaa korkealaatuisia kiekkoja.
Piikarbidigrafiittisubstraatti MOCVD-suskeptorimme on erittäin puhdasta, valmistettu CVD-kemiallisella höyrysaostuksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa, mikä varmistaa tuotteen tasaisuuden ja johdonmukaisuuden. Se on myös erittäin korroosionkestävä, sillä on tiheä pinta ja hienojakoisia hiukkasia, mikä tekee siitä kestävän happoja, emäksiä, suoloja ja orgaanisia reagensseja. Sen hapettumisenkestävyys korkeissa lämpötiloissa takaa vakauden korkeissa lämpötiloissa aina 1600°C asti.
Ota meihin yhteyttä jo tänään saadaksesi lisätietoja piikarbidigrafiittisubstraatti-MOCVD-susseptoristamme.
Piikarbidigrafiittisubstraatin MOCVD-suskeptorin parametrit
CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot |
||
SiC-CVD-ominaisuudet |
||
Kristallirakenne |
FCC p-vaihe |
|
Tiheys |
g/cm³ |
3.21 |
Kovuus |
Vickersin kovuus |
2500 |
Raekoko |
μm |
2~10 |
Kemiallinen puhtaus |
% |
99.99995 |
Lämpökapasiteetti |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimaatiolämpötila |
℃ |
2700 |
Feleksuaalinen voima |
MPa (RT 4-piste) |
415 |
Youngin Modulus |
Gpa (4 pt bend, 1300 ℃) |
430 |
Lämpölaajeneminen (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Lämmönjohtavuus |
(W/mK) |
300 |
SiC Coated Graphite Susceptorin ominaisuudet MOCVD:lle
- Vältä irroitumista ja varmista, että kaikki pinnat ovat pinnoitettuja
Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys: Stabiili korkeissa lämpötiloissa aina 1600°C asti
Korkea puhtaus: valmistettu CVD-kemiallisella höyrypinnoituksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa.
Korroosionkestävyys: korkea kovuus, tiheä pinta ja hienojakoisia hiukkasia.
Korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.
- Saavuta paras laminaarinen kaasuvirtauskuvio
- Takaa lämpöprofiilin tasaisuus
- Estä kontaminaatio tai epäpuhtauksien leviäminen