SiC Wafer -suskeptorit MOCVD:lle

Semicorex SiC Wafer Susceptors for MOCVD ovat tarkkuuden ja innovaation esikuva, joka on erityisesti suunniteltu helpottamaan puolijohdemateriaalien epitaksiaalista kerrostamista kiekkoille. Levyjen erinomaiset materiaaliominaisuudet mahdollistavat niiden kestävän epitaksiaalisen kasvun tiukat olosuhteet, mukaan lukien korkeat lämpötilat ja syövyttävät ympäristöt, mikä tekee niistä välttämättömiä korkean tarkkuuden puolijohteiden valmistuksessa. Me Semicorexilla olemme omistautuneet valmistamaan ja toimittamaan korkean suorituskyvyn SiC Wafer -suskeptoreita MOCVD:lle, jotka yhdistävät laadun ja kustannustehokkuuden.

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

Lämpöstabiilisuuden, kemiallisen kestävyyden ja mekaanisen kestävyyden yhdistelmä varmistaa, että Semicorex SiC Wafer Susceptors for MOCVD on pitkä käyttöikä, jopa ankarissa käsittelyolosuhteissa:

1. Nämä piikarbidikiekkosuskeptorit MOCVD:tä varten on suunniteltu kestämään erittäin korkeita lämpötiloja, usein yli 1500 °C, ilman hajoamista. Tämä kimmoisuus on ratkaisevan tärkeää prosesseissa, jotka vaativat pitkäaikaista altistumista korkeille lämpötiloille. Erinomaiset lämpöominaisuudet minimoivat lämpögradientteja ja jännitystä suskeptorin sisällä, mikä vähentää vääntymisen tai muodonmuutoksen riskiä äärimmäisissä käsittelylämpötiloissa.

2. SiC Wafer Susceptors for MOCVD:n SiC-pinnoite tarjoaa poikkeuksellisen kestävyyden CVD-prosesseissa käytettäviä syövyttäviä kemikaaleja, kuten halogeenipohjaisia kaasuja, vastaan. Tämä inertisyys varmistaa, että kantoaineet eivät reagoi prosessikaasujen kanssa, mikä säilyttää kerrostuneiden kalvojen eheyden ja puhtauden.

3. Näiden MOCVD:n piikarbidikiekkojen suskeptorien vankka rakenne varmistaa, että ne kestävät käsittelystä ja prosessoinnista aiheutuvat mekaaniset rasitukset synnyttämättä hiukkasia, jotka voivat saastuttaa kiekon. Suskeptorien pinnan tasaisuus edistää toistettavia prosessointiolosuhteita, jotka ovat välttämättömiä tasaisen suorituskyvyn ja luotettavuuden omaavien puolijohdelaitteiden valmistuksessa.

Nämä laajennetut kuvaukset korostavat SiC Wafer Susceptors for MOCVD:n ammatillisia ja teknisiä etuja puolijohde-CVD-prosesseissa, korostaen niiden ainutlaatuisia ominaisuuksia ja etuja korkean puhtaus-, suorituskyvyn ja tehokkuuden standardien ylläpitämisessä valmistusprosessissa.