SiC Wafer Chuck

SiC Wafer Chuckin ytimessä on hienostunut materiaalisekoitus, jonka pohja on valmistettu grafiitista ja päällystetty huolellisesti CVD (Chemical Vapor Deposition) SiC:llä. Tämä grafiitin ja piikarbidin pinnoitteen fuusio ei ainoastaan ​​takaa poikkeuksellista kestävyyttä ja lämmönkestävyyttä, vaan tarjoaa myös vertaansa vailla olevan kestävyyden ankaria kemiallisia ympäristöjä vastaan, mikä takaa herkkien puolijohdekiekkojen eheyden koko valmistusprosessin ajan.

SiC-kiekkoistukka tarjoaa poikkeuksellisen lämmönjohtavuuden, mikä helpottaa tehokasta lämmönpoistoa puolijohteiden valmistusprosessin aikana. Tämä ominaisuus minimoi lämpögradientit kiekon pinnalla varmistaen tasaisen lämpötilan jakautumisen, joka on kriittistä tarkan puolijohdeominaisuuksien saavuttamiseksi. CVD SiC -pinnoitteen integroinnin ansiosta SiC Wafer Chuckilla on huomattava mekaaninen lujuus ja jäykkyys, joka pystyy kestämään kiekkojen käsittelyn aikana kohdattavat vaativat olosuhteet. Tämä kestävyys minimoi muodonmuutos- tai vaurioriskin, turvaa puolijohdekiekkojen eheyden ja maksimoi tuotantosadot.

Jokainen SiC-kiekkoistukka käy läpi huolellisen tarkkuustyöstön, mikä takaa tiukat toleranssit ja optimaalisen tasaisuuden sen pinnalla. Tämä tarkkuus on kriittinen, jotta saavutetaan tasainen kosketus istukan ja puolijohdekiekon välillä, mikä helpottaa kiekon luotettavaa kiinnitystä ja varmistaa tasaisen käsittelytuloksen.

SiC-kiekkojen istukka löytyy laajalle levinneestä sovelluksesta erilaisissa puolijohteiden valmistusprosesseissa, mukaan lukien epitaksiaalinen kasvu, kemiallinen höyrypinnoitus (CVD) ja lämpökäsittely. Sen monipuolisuus ja luotettavuus tekevät siitä välttämättömän tukemaan piikarbidikiekkoja kriittisten valmistusvaiheiden aikana, mikä viime kädessä edistää kehittyneiden puolijohdelaitteiden tuotantoa, joilla on vertaansa vailla oleva suorituskyky ja luotettavuus.