SiC kiekkoveneet

Semicorex SiC Wafer Boat, joka on valmistettu piikarbidi (SiC) keramiikasta, on edelläkävijä puolijohdeteollisuuden vaatimusten täyttämisessä tarjoamalla vertaansa vailla olevan suorituskyvyn korkeissa lämpötiloissa. Puolijohdeteollisuuden lyöessä hellittämättä mikrovalmistuksen rajoja, kimmoisten ja kestävien materiaalien kysyntä tulee ensiarvoisen tärkeäksi.

SiC Wafer Boatilla on ratkaiseva rooli useiden kiekkojen pitämisessä ja tukemisessa lämpöprosessien, kuten diffuusion, hapettumisen ja kemiallisen höyrypinnoituksen (CVD) aikana. Näihin prosesseihin kuuluu kiekkojen altistaminen äärimmäisen korkeille lämpötiloille, jotka usein ylittävät 1000 °C, kontrolloidussa ilmakehässä. Näiden lämpökäsittelyjen tasaisuus ja johdonmukaisuus ovat kriittisiä valmistettavien puolijohdelaitteiden laadun ja suorituskyvyn varmistamiseksi. SiC Wafer Boatin kyky kestää tällaisia ​​korkeita lämpötiloja ilman muodonmuutoksia tai hajoamista varmistaa, että kiekot käsitellään tasaisesti, mikä johtaa erinomaiseen laitteen tuottoon ja suorituskykyyn.

SiC-kiekkojen poikkeuksellinen lämmönjohtavuus takaa tasaisen lämmön jakautumisen kaikille kiekkoille, minimoiden lämpötilagradienttien riskin, jotka voivat johtaa puolijohdelaitteisiin. Lisäksi piikarbidin alhainen lämpölaajenemiskerroin (CTE) johtaa minimaaliseen lämpölaajenemiseen ja -supistumiseen lämmitys- ja jäähdytysjaksojen aikana. Tämä vakaus on ratkaisevan tärkeää mekaanisen rasituksen ja kiekkojen mahdollisen vaurioitumisen estämiseksi, erityisesti kutistuvien laitteiden geometrioissa.

Lämpöprosessien aikana kiekot altistuvat erilaisille reaktiivisille kaasuille, jotka voivat olla vuorovaikutuksessa piikarbidikiekkoveneen materiaalien kanssa. SiC:n erinomainen kemiallinen kestävyys varmistaa, että se ei reagoi näiden kaasujen kanssa, mikä estää saastumisen ja varmistaa kiekkojen puhtauden. Tämä on erityisen tärkeää kehittyneiden puolijohdelaitteiden tuotannossa, jossa pienetkin kontaminaatiomäärät voivat aiheuttaa vikoja ja heikentää laitteiden luotettavuutta.