Semicorex SiC ICP -levy on edistyksellinen puolijohdekomponentti, joka on erityisesti suunniteltu vastaamaan nykyaikaisten puolijohteiden valmistusprosessien tiukkoja vaatimuksia. Tämä korkean suorituskyvyn tuote on suunniteltu uusimmalla piikarbidimateriaalitekniikalla (SiC), joka tarjoaa vertaansa vailla olevan kestävyyden, tehokkuuden ja luotettavuuden, joten se on olennainen komponentti huippuluokan puolijohdelaitteiden valmistuksessa. Semicorex on sitoutunut tarjoamaan laadukkaita tuotteita kilpailukykyiseen hintaan. Odotamme innolla tulevaa pitkäaikaiseksi kumppaniksesi Kiinassa*.
Semicorex SiC ICP-levy on valmistettu piikarbidista, joka tunnetaan poikkeuksellisista fysikaalisista ja kemiallisista ominaisuuksistaan. Sen vankka luonne takaa erinomaisen kestävyyden lämpöshokeja, hapettumista ja korroosiota vastaan, jotka ovat kriittisiä tekijöitä puolijohdekäsittelyn ankarissa ympäristöissä. SiC-materiaalin käyttö pidentää merkittävästi levyn käyttöikää vähentäen vaihtotiheyttä ja siten alentaen huoltokustannuksia ja tuotantolaitosten seisokkeja.
SiC ICP -levyllä on ratkaiseva rooli plasmaetsaus- ja saostusprosesseissa, jotka ovat olennaisia puolijohdekiekkojen luomisessa. Näiden prosessien aikana SiC ICP -levyn korkea lämmönjohtavuus ja stabiilisuus takaavat tarkan lämpötilan hallinnan ja plasman tasaisen jakautumisen, mikä on elintärkeää johdonmukaisten ja tarkkojen syövytys- ja pinnoitustulosten saavuttamiseksi. Tämä tarkkuus on kriittinen valmistettaessa yhä pienempiä ja monimutkaisempia puolijohdelaitteita, joissa pienetkin poikkeamat voivat johtaa merkittäviin suorituskykyongelmiin.
Yksi SiC ICP -levyn erottuvista ominaisuuksista on sen poikkeuksellinen mekaaninen lujuus. Piikarbidin luontainen kovuus ja jäykkyys takaavat erinomaisen rakenteellisen eheyden jopa äärimmäisissä olosuhteissa. Tämä kestävyys tarkoittaa vakaampaa ja luotettavampaa suorituskykyä korkean intensiteetin plasmaprosessien aikana, minimoiden komponenttien vioittumisriskin ja varmistaa jatkuvan, keskeytymättömän toiminnan. Lisäksi materiaalin kevyt luonne verrattuna perinteisiin metallivastimiin helpottaa käsittelyä ja asennusta, mikä parantaa entisestään toiminnan tehokkuutta.
Fyysisten ominaisuuksiensa lisäksi SiC ICP -levy tarjoaa erinomaisen kemiallisen stabiilisuuden. Sillä on huomattava vastustuskyky reaktiivisille plasmalajeille, jotka ovat yleisiä puolijohteiden etsaus- ja kerrostusympäristöissä. Tämä kestävyys varmistaa, että levy säilyttää eheytensä ja suorituskykynsä pitkiä aikoja, jopa plasmaprosesseissa käytettävien aggressiivisten kemikaalien läsnä ollessa. Näin ollen SiC ICP -levy tarjoaa puhtaamman käsittelyympäristön, mikä vähentää kontaminaatioiden ja vikojen todennäköisyyttä puolijohdekiekoissa.