SiC Epi-Wafer -suskeptorit

SiC-päällystetystä grafiitista valmistetut Semicorex SiC epi-kiekkosuskeptorit on suunniteltu tarjoamaan poikkeuksellista lämpötasaisuutta ja kemiallista stabiilisuutta korkeissa lämpötiloissa tapahtuvissa epitaksiaalisissa kasvuprosesseissa. Semicorex on sitoutunut toimittamaan korkealaatuisimpia tuotteita ja parasta palvelua asiakkaille maailmanlaajuisesti. Vahvan teknisen asiantuntemuksen ja luotettavan valmistuskyvyn avulla autamme maailmanlaajuisia kumppaneita saavuttamaan vakaan suorituskyvyn ja pitkän aikavälin arvon.*

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

Et voi valmistaa Wide Bandgap (WBG) -puolijohteita, jotka ovat välttämättömiä sähköajoneuvojen (EV) ja 5G:n vallankumoukselle, ilman, että ne varmistavat ihanteellisia materiaaliominaisuuksia epitaksiaalisen kasvun avulla. Semicorex SiC Epi-Wafer -suskeptorit on suunniteltu käytettäväksi SiC- ja GaN-epitaksian perustana (lämpö/rakenteellinen). Yhdistelmäisostaattinen grafiitti(erinomainen lämmönjohtavuus) kemiallisesti höyrysaostetulla (CVD) piikarbidilla (äärimmäinen kemiallinen kestävyys) saavuttaa prosessisarjan, joka mahdollistaa suurimman mahdollisen tuoton ja toistettavuuden.

"Täydellisen" lämpöympäristön suunnittelu

Riittävien epitaksiaalisten kasvulämpötilojen (yli 1 500 °C) saavuttamiseksi ilmakehässä, joka on kyllästetty reaktiivisilla ja syövyttävillä esiastekaasuilla, tavanomainen grafiittikantaja hajoaisi altistuessaan ja saastuttaa siten kiekon. Semicorexin kehittämät SiC Epi-Wafer Susceptors ovat kuitenkin saavuttaneet edistyneen materiaaliintegraation avulla ratkaisun, joka tarjoaa epitaksiprosessille vakaan pohjan tuhansien prosessituntien ajan.

1. Erinomainen lämpötasaisuus

Suskeptorin ensisijainen tehtävä on toimia lämmönlevittäjänä. Erittäin puhdas isostaattinen grafiittiydinmme tarjoaa tasaisen lämpökentän koko kiekon pinnalla. Tämä minimoi "kuumat kohdat", jotka aiheuttavat vaihtelua epi-kerroksen paksuudessa ja dopingpitoisuudessa. Tehoelektroniikan maailmassa, jossa RDS(on)-yhteensopivuus on kuningas, suskeptorimme takaavat alle mikronin tasaisuuden vaatiman lämpötarkkuuden.

2. Hermeettinen CVD SiC -kapselointi

Käytämme huippuluokan CVD-prosessia tiheän, erittäin puhtaan piikarbidipinnoitteen levittämiseen. Tämä kerros ei ole vain päällyste; se on hermeettinen tiiviste.

Hiukkasten esto: Pinnoite estää grafiittisubstraattia "pölyämästä" tai päästämästä epäpuhtauksia, kuten booria tai metallijäämiä, reaktiokammioon.

Kemiallinen inertiteetti: MeidänSiC pinnoiteon läpäisemätön H2:n, HCl:n ja ammoniakin (NH3) etsaukselle, jotka ovat yleisiä MOCVD- ja SiC Epitaxy -reaktoreissa.

3. Tarkkuus CTE-sovitus

Yksi päällystetyn laitteiston yleisimmistä vikakohdista on lämpökierron aiheuttama delaminaatio. Valitsemme erityisesti grafiittilaadut, joiden lämpölaajenemiskerroin (CTE) on täydellisesti synkronoituSiC pinnoite. Tämä "laajennusharmonia" mahdollistaa SiC Epi-Wafer Susceptors -sukeptorien nopeiden nousu- ja laskujaksojen kestämisen ilman halkeilua tai kuoriutumista, mikä pidentää komponentin käyttöikää jopa 300 % verrattuna alan standardivaihtoehtoihin.

Optimoitu maailmanlaajuisille reaktorialustoille

Suunnittelutiimillämme on laaja kokemus suskeptorien suunnittelusta sekä vaaka- että pystyreaktorikokoonpanoihin. Tarjoamme drop-in-korvauksia ja räätälöityjä ratkaisuja alan johtaville OEM-järjestelmille (mukaan lukien AIXTRON-, Veeco- ja Tokyo Electron-alustat).

Käytätpä planeettareaktoria tai yksikiekkotyökalua, suskeptorimme on optimoitu:

Kaasun virtausdynamiikka:Tarkasti koneistetut taskut varmistavat laminaarisen virtauksen kiekon poikki.

Kiekon kierto:Optimoidut paino-kitkasuhteet vakaaseen, nopeaan pyörimiseen kasvun aikana.

Automaattinen käsittely:Vahvistetut reunat kestämään robottikiekon siirron mekaanisen rasituksen.