Semicorex on johtava itsenäisesti omistama piikarbidilla päällystetyn grafiitin, tarkkuuskoneistetun erittäin puhtaan grafiitin valmistaja, joka keskittyy puolijohteiden valmistuksen piikarbidipäällysteiseen grafiittiin, piikarbidikeramiikkaan ja MOCVP-alueisiin. GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrierillamme on hyvä hintaetu ja se kattaa monet Euroopan ja Amerikan markkinat. Odotamme innolla tulevaa pitkäaikaiseksi kumppaniksesi Kiinassa.
Semicorex SiC Coating of GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier on tiheä, kulutusta kestävä piikarbidi (SiC) pinnoite. Sillä on korkeat korroosion- ja lämmönkestävyysominaisuudet sekä erinomainen lämmönjohtavuus. Levitämme piikarbidia ohuina kerroksina grafiitin päälle käyttämällä kemiallista höyrypinnoitusprosessia (CVD).
GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier on suunniteltu saavuttamaan paras laminaarinen kaasuvirtauskuvio, mikä varmistaa lämpöprofiilin tasaisuuden. Tämä auttaa estämään kontaminaatiota tai epäpuhtauksien leviämistä varmistaen korkealaatuisen epitaksiaalisen kasvun kiekon sirulla.
Ota yhteyttä jo tänään saadaksesi lisätietoja GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier -kiekkojen alustasta.
GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrierin parametrit
CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot |
||
SiC-CVD-ominaisuudet |
||
Kristallirakenne |
FCC β -vaihe |
|
Tiheys |
g/cm³ |
3.21 |
Kovuus |
Vickersin kovuus |
2500 |
Jyvän koko |
μm |
2~10 |
Kemiallinen puhtaus |
% |
99.99995 |
Lämpökapasiteetti |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimaatiolämpötila |
℃ |
2700 |
Feleksuaalinen voima |
MPa (RT 4-piste) |
415 |
Youngin moduuli |
Gpa (4 pt bend, 1300â) |
430 |
Lämpölaajeneminen (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Lämmönjohtokyky |
(W/mK) |
300 |
GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrierin ominaisuudet
- Vältä irroitumista ja varmista, että kaikki pinnat ovat pinnoitettuja
Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys: Stabiili korkeissa lämpötiloissa aina 1600°C asti
Korkea puhtaus: valmistettu CVD-kemiallisella höyrypinnoituksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa.
Korroosionkestävyys: korkea kovuus, tiheä pinta ja hienojakoisia hiukkasia.
Korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.
- Saavuta paras laminaarinen kaasuvirtauskuvio
- Takaa lämpöprofiilin tasaisuus
- Estä kontaminaatio tai epäpuhtauksien leviäminen