Koti > Tuotteet > Piikarbidipinnoitettu > SiC Epitaxy > Piikarbidi-epitaksireseptori
Piikarbidi-epitaksireseptori
  • Piikarbidi-epitaksireseptoriPiikarbidi-epitaksireseptori
  • Piikarbidi-epitaksireseptoriPiikarbidi-epitaksireseptori
  • Piikarbidi-epitaksireseptoriPiikarbidi-epitaksireseptori
  • Piikarbidi-epitaksireseptoriPiikarbidi-epitaksireseptori
  • Piikarbidi-epitaksireseptoriPiikarbidi-epitaksireseptori

Piikarbidi-epitaksireseptori

Semicorex on suuri piikarbidi-epitaksisusseptorin valmistaja ja toimittaja Kiinassa. Keskitymme puolijohdeteollisuuteen, kuten piikarbidikerroksiin ja epitaksipuolijohteisiin. Tuotteillamme on hyvä hintaetu ja ne kattavat monet Euroopan ja Amerikan markkinat. Odotamme innolla tulevaa pitkäaikaiseksi kumppaniksesi.

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

Semicorex tarjoaa piikarbidipinnoitusprosessipalveluita CVD-menetelmällä grafiitin, keramiikan ja muiden materiaalien, kuten piikarbidi-epitaksisusceptorin, pinnalle siten, että erityiset hiiltä ja piitä sisältävät kaasut reagoivat korkeassa lämpötilassa, jolloin saadaan erittäin puhtaita piikarbidimolekyylejä, jotka kerrostuvat pinnoitettujen materiaalien pinta muodostaen SIC-suojakerroksen. Muodostunut SIC on sitoutunut tiukasti grafiittipohjaan, mikä antaa grafiittipohjalle erityisiä ominaisuuksia, jolloin grafiitin pinta on kompakti, huokoinen, korkean lämpötilan, korroosionkestävyys ja hapettumisenkestävyys.
Silicon Carbide Epitaxy Susceptor on suunniteltu saavuttamaan paras laminaarinen kaasuvirtauskuvio, mikä varmistaa lämpöprofiilin tasaisuuden. Tämä auttaa estämään kontaminaatiota tai epäpuhtauksien leviämistä varmistaen korkealaatuisen epitaksiaalisen kasvun kiekon sirulla.
Ota meihin yhteyttä jo tänään saadaksesi lisätietoja piikarbidiepitaksisusseptoristamme.


Piikarbidi-epitaksisuskeptorin parametrit

CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot

SiC-CVD-ominaisuudet

Kristallirakenne

FCC p-vaihe

Tiheys

g/cm³

3.21

Kovuus

Vickersin kovuus

2500

Raekoko

μm

2~10

Kemiallinen puhtaus

%

99.99995

Lämpökapasiteetti

J kg-1 K-1

640

Sublimaatiolämpötila

2700

Feleksuaalinen voima

MPa (RT 4-piste)

415

Youngin Modulus

Gpa (4 pt bend, 1300 ℃)

430

Lämpölaajeneminen (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Lämmönjohtavuus

(W/mK)

300


Silicon Carbide Epitaxy Susceptorin ominaisuudet

- Sekä grafiittisubstraatilla että piikarbidikerroksella on hyvä tiheys ja niillä voi olla hyvä suojaava rooli korkeissa lämpötiloissa ja syövyttävissä työympäristöissä.
- Yksikiteiden kasvattamiseen käytetyllä piikarbidilla päällystetyllä suskeptorilla on erittäin korkea pinnan tasaisuus.
- Pienennä lämpölaajenemiskertoimen eroa grafiittisubstraatin ja piikarbidikerroksen välillä, paranna tehokkaasti sidoslujuutta halkeilun ja delaminoitumisen estämiseksi.
- Sekä grafiittisubstraatilla että piikarbidikerroksella on korkea lämmönjohtavuus ja erinomaiset lämmönjako-ominaisuudet.
- Korkea sulamispiste, korkean lämpötilan hapettumisenkestävyys, korroosionkestävyys.




Hot Tags: Silicon Carbide Epitaxy Susceptor, Kiina, valmistajat, toimittajat, tehdas, räätälöity, irtotavarana, edistynyt, kestävä
Aiheeseen liittyvä luokka
Lähetä kysely
Ole hyvä ja lähetä kyselysi alla olevalla lomakkeella. Vastaamme sinulle 24 tunnin kuluessa.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept