SiC-pinnoitettu grafiittialusta

Epitaksiaalisten laitteiden pääkomponenttinaSiC-pinnoitettu grafiittialusta, vaikuttaa suoraan tuotantotehokkuuteen, yhtenäisyyteen ja epitaksiaalikerroksen kasvun vikojen määrään.    

Grafiitin puhdistuksen, tarkkuuskäsittelyn ja puhdistuskäsittelyn avulla grafiittisubstraatin pinta voi saavuttaa erinomaisen tasaisuuden ja sileyden, välttäen onnistuneesti hiukkasten saastumisen riskiä. Kemiallisen höyrypinnoituksen avulla grafiittisubstraatin pinta saa kemiallisen reaktion reaktiivisen kaasun kanssa, jolloin muodostuu tiheä, huokoseton ja tasaisen paksu piikarbidi (SiC) pinnoite. Alustan valmistelusta pinnoituskäsittelyyn koko tuotantoprosessi suoritetaan luokan 100 puhdastilassa, joka täyttää puolijohteisiin soveltuvat puhtausstandardit.

SiC-pinnoitetulla grafiittialustalla, joka on valmistettu erittäin puhtaasta vähäepäpuhtaudesta grafiitti- ja SiC-materiaaleista, on erinomainen lämmönjohtavuus ja alhainen lämpölaajenemiskerroin. Se ei ainoastaan ​​mahdollista piikarbidilla päällystetyn grafiittikaukalon lämmönsiirtoa nopeasti ja tasaisesti epitaksiaalikerroksen kasvulaadun parantamiseksi, vaan myös vähentää tehokkaasti lämpörasituksen aiheuttaman pinnoitteen irtoamisen tai halkeilun riskiä. Lisäksi yhtenäinen ja tiheä SiC-pinnoite kestää korkeita lämpötiloja, hapettumista ja korroosiota, mikä takaa vakaan toiminnan pitkäksi aikaa korkeissa lämpötiloissa ja syövyttävissä kaasuolosuhteissa.

SiC-pinnoitetulla grafiittialustalla on parempi yhteensopivuus metalli-orgaanisen kemiallisen höyrypinnoituslaitteiston (MOCVD) kanssa. Se on huolellisesti mitoitettu ja suunniteltu sopeutumaan erilaisiin prosessiparametreihin ja laitevaatimuksiin. Semicorex haluaa aina tarjota ammattimaisia ​​räätälöityjä palveluita arvostetuille asiakkaillemme, jotta ne täyttävät tarkasti heidän vaatimukset piikarbidilla päällystetyn grafiittialustan eri kokojen, pinnoitepaksuuksien ja pinnan karheuden suhteen.