- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Uutiset
Piikarbidikeramiikan edut valokuituteollisuudessa
Piikarbidikeramiikka tarjoaa lukuisia etuja valokuituteollisuudessa, mukaan lukien stabiilisuus korkeissa lämpötiloissa, alhainen lämpölaajenemiskerroin, alhainen häviö- ja vauriokynnys, mekaaninen lujuus, korroosionkestävyys, hyvä lämmönjohtavuus ja alhainen dielektrisyysvakio. Nämä ominaisuudet te......
Lue lisää
Johdatus piikarbiditeholaitteisiin
Piikarbidi (SiC) -teholaitteet ovat piikarbidimateriaaleista valmistettuja puolijohdelaitteita, joita käytetään pääasiassa korkeataajuisissa, korkeissa lämpötiloissa, suurjännitteissä ja suuritehoisissa elektronisissa sovelluksissa. Verrattuna perinteisiin pii (Si) -pohjaisiin teholaitteisiin piikar......
Lue lisää
Piikarbidin lyhyt historia ja piikarbidipinnoitteiden sovellukset
Piikarbidin (SiC) historia juontaa juurensa vuoteen 1891, jolloin Edward Goodrich Acheson löysi sen vahingossa yrittäessään syntetisoida keinotekoisia timantteja. Acheson lämmitti saven (aluminosilikaatti) ja jauhetun koksin (hiili) seosta sähköuunissa. Odotettujen timanttien sijaan hän sai kirkkaan......
Lue lisää
Vaikeuksia GaN-valmistelussa
Kolmannen sukupolven puolijohdemateriaalina galliumnitridia verrataan usein piikarbidiin. Galliumnitridi osoittaa edelleen paremmuustaan suurella kaistavälillä, suurella läpilyöntijännitteellä, korkealla lämmönjohtavuudella, suurella kyllästyneiden elektronien ryömintänopeudella ja vahvalla säteil......
Lue lisää
Johdatus kolmannen sukupolven puolijohteisiin: GaN ja siihen liittyvät epitaksiaalitekniikat
GaN-materiaalit nousivat esiin sen jälkeen, kun 2014 fysiikan Nobel-palkinto sinisistä LED-valoista. Aluksi kulutuselektroniikan pikalataussovellusten kautta julkisuuteen tulleet GaN-pohjaiset tehovahvistimet ja RF-laitteet ovat myös hiljaa nousseet kriittisiksi komponenteiksi 5G-tukiasemissa. Viime......
Lue lisää
