Puolijohdeteknologian ja mikroelektroniikan aloilla substraattien ja epitaksian käsitteet ovat tärkeitä. Niillä on keskeinen rooli puolijohdelaitteiden valmistusprosessissa. Tässä artikkelissa tarkastellaan puolijohdesubstraattien ja epitaksian välisiä eroja kattaen niiden määritelmät, toiminnot, ma......
Lue lisääPiikarbidin (SiC) tuotantoprosessi sisältää substraatin ja epitaksin valmistuksen materiaalipuolelta, jota seuraa sirujen suunnittelu ja valmistus, laitepakkaus ja lopuksi jakelu loppupään sovellusmarkkinoille. Näistä vaiheista substraattimateriaalin käsittely on piikarbiditeollisuuden haastavin osa......
Lue lisääKiteen kasvu on keskeinen lenkki piikarbidialustojen tuotannossa, ja ydinlaitteisto on kiteenkasvatusuuni. Perinteisten kiteisten piilaatuisten kiteenkasvatusuunien tapaan uunin rakenne ei ole kovin monimutkainen ja koostuu pääasiassa uunin rungosta, lämmitysjärjestelmästä, kelan siirtomekanismista,......
Lue lisääKolmannen sukupolven laajakaistaiset puolijohdemateriaalit, kuten galliumnitridi (GaN) ja piikarbidi (SiC), tunnetaan poikkeuksellisista optoelektronisista muunnos- ja mikroaaltosignaalien siirtoominaisuuksistaan. Nämä materiaalit täyttävät korkeataajuisten, korkeiden lämpötilojen, suuritehoisten ja......
Lue lisääPiikarbidilla on lukuisia sovelluksia kehittyvillä teollisuudenaloilla ja perinteisillä teollisuudenaloilla. Tällä hetkellä maailmanlaajuiset puolijohdemarkkinat ovat ylittäneet 100 miljardia yuania. Puolijohdevalmistusmateriaalien maailmanlaajuisen myynnin odotetaan saavuttavan vuoteen 2025 menness......
Lue lisää