SiC-substraatissa voi olla mikroskooppisia vikoja, kuten kierreruuvin dislokaatio (TSD), kierrereunan dislokaatio (TED), perustason dislokaatio (BPD) ja muita. Nämä viat johtuvat poikkeamista atomien järjestelyssä atomitasolla. SiC-kiteissä voi myös olla makroskooppisia dislokaatioita, kuten Si- tai......
Lue lisääTutkimustulosten mukaan TaC-pinnoite voi toimia suoja- ja eristyskerroksena pidentää grafiittikomponenttien käyttöikää, parantaa säteittäisen lämpötilan tasaisuutta, ylläpitää piikarbidin sublimaatiostoikiometriaa, estää epäpuhtauksien kulkeutumista ja vähentää energiankulutusta. Lopulta TaC-pinnoit......
Lue lisääKemiallinen höyrypinnoitus CVD tarkoittaa kahden tai useamman kaasumaisen raaka-aineen viemistä reaktiokammioon tyhjiö- ja korkean lämpötilan olosuhteissa, jossa kaasumaiset raaka-aineet reagoivat keskenään muodostaen uutta materiaalia, joka kerrostetaan kiekon pinnalle.
Lue lisää