AIN-alusta

Verraton lämmönjohtavuus ja sähköeristys

Semicorexin AIN-substraatti erottuu ensisijaisesti poikkeuksellisesta lämmönjohtavuudestaan, joka on ratkaisevan tärkeää suuritehoisten elektronisten laitteiden lämmönhallinnassa. Normaali lämmönjohtavuus 175 W/m·K ja vaihtoehdot korkealle (200 W/m·K) ja erittäin korkealle lämmönjohtavuudelle (230 W/m·K) AIN-substraatti haihduttaa tehokkaasti lämpöä, mikä varmistaa pitkän käyttöiän ja komponenttien luotettavuus. Yhdessä vahvojen sähköeristysominaisuuksiensa kanssa AIN-substraatti on suositeltava materiaali osakiinnityksille, painetuille piirilevyille (PCB) ja pakkauksille suuritehoisille ja erittäin luotettaville komponenteille sekä lämmönlevittimille ja erilaisille elektroniikkapiireille.

Yhteensopivuus silikonin ja lämpölaajenemisen kanssa

Yksi AIN-substraatin erottuvista ominaisuuksista on sen lämpölaajenemiskerroin (CTE), joka vaihtelee välillä 4 - 6 x 10^-6/K 20 - 1000 °C:ssa. Tämä CTE on tiiviisti rinnastettu piin kanssa, joten AIN-substraatti on ihanteellinen materiaali puolijohdeteollisuudelle ja elektroniikkalaitteiden pakkauksiin. Tämä yhteensopivuus vähentää lämpökuormituksen riskiä ja varmistaa saumattoman integroinnin piipohjaisten komponenttien kanssa, mikä parantaa laitteen yleistä suorituskykyä ja luotettavuutta.

Räätälöinti erilaisiin tarpeisiin

Semicorex tarjoaa laajat räätälöintipalvelut AIN-substraatille, mikä mahdollistaa räätälöidyt ratkaisut tiettyjen sovellusten vaatimuksiin. Riippumatta siitä, tarvitaanko hiontatyyppiä, pikapolttotyyppiä, suurta taivutuskestävyyttä, korkeaa lämmönjohtavuutta, kiillotustyyppiä tai laserviivaustyyppiä, Semicorex voi tarjota substraatteja, jotka on optimoitu halutuille suorituskykyominaisuuksille. Tämä räätälöintitaso varmistaa, että asiakkaat saavat substraatteja, jotka vastaavat tarkasti heidän lämpö-, mekaanisia ja sähköisiä tarpeitaan.

Monipuolisuus metalloinnissa ja elektronisissa sovelluksissa

Semicorexin AIN-substraatti on yhteensopiva useiden metallointitekniikoiden kanssa, mukaan lukien Direct Plated Copper (DPC), Direct Bonded Copper (DBC), Thick Film Printing, Thin Film Printing ja Active Metal Brazing (AMB). Tämä monipuolisuus tekee siitä sopivan monenlaisiin elektroniikkasovelluksiin, suuritehoisista LED-valoista ja integroiduista piireistä (IC:t) eristettyihin bipolaarisiin transistoreihin (IGBT) ja akkusovelluksiin. Substraatin sopeutumiskyky erilaisiin metallointimenetelmiin varmistaa, että sitä voidaan käyttää tehokkaasti erilaisissa elektroniikkajärjestelmissä.

Erittäin ohut suunnitteluominaisuudet

Sovelluksiin, joissa tila ja paino ovat kriittisiä näkökohtia, Semicorex tarjoaa AIN-substraatteja, joiden paksuus on jopa 0,1 mm. Tämä erittäin ohut suunnitteluominaisuus mahdollistaa kompaktien ja kevyiden elektronisten laitteiden kehittämisen suorituskyvystä tai luotettavuudesta tinkimättä. Mahdollisuus tuottaa tällaisia ​​ohuita substraatteja laajentaa entisestään sovellusten valikoimaa ja lisää suunnittelun joustavuutta insinööreille ja suunnittelijoille.

Turvallinen ja ympäristöystävällinen vaihtoehto BeO:lle

Puolijohdeteollisuudessa alumiininitridiä käytetään yhä useammin berylliumoksidin (BeO) korvikkeena, koska se ei ole vaarallinen työstössä. Toisin kuin BeO, joka aiheuttaa merkittäviä terveysriskejä käsittelyn aikana, AlN on turvallista käsitellä ja prosessoida, mikä tekee siitä ympäristöystävällisemmän ja turvallisemman vaihtoehdon. Tämä muutos ei ainoastaan ​​paranna työntekijöiden turvallisuutta, vaan myös vastaa tiukempia ympäristömääräyksiä ja kestävyystavoitteita.

Korkea mekaaninen lujuus

AIN-alustan mekaaninen lujuus on toinen tärkeä etu. Kun biaksiaalinen lujuus ylittää 320 MPa, alusta varmistaa kestävyyden ja kimmoisuuden mekaanisessa rasituksessa. Tämä korkea mekaaninen lujuus on elintärkeä sovelluksissa, jotka vaativat kestäviä ja luotettavia materiaaleja, erityisesti suuritehoisessa elektroniikassa ja ankarissa käyttöympäristöissä. AIN-substraatin kestävyys edistää niiden laitteiden pitkäikäisyyttä ja luotettavuutta, joissa sitä käytetään.

Laaja valikoima sovelluksia

AIN-substraatin ainutlaatuiset ominaisuudet tekevät siitä sopivan monenlaisiin suuritehoisiin ja suorituskykyisiin sovelluksiin:

Tehokas LED-valot: AIN-substraatin poikkeukselliset lämmönhallintaominaisuudet takaavat tehokkaiden LEDien tehokkaan toiminnan ja pidemmän käyttöiän.

Integroidut piirit (ICs): AIN-substraatin sähköinen eristys ja lämmönjohtavuus tekevät siitä ihanteellisen valinnan IC:ille, mikä parantaa suorituskykyä ja luotettavuutta.

Eristetyt kaksinapaiset transistorit (IGBT): Substraatin kyky hallita suuria teho- ja lämpökuormia on ratkaisevan tärkeää IGBT:iden toiminnalle erilaisissa tehoelektroniikan sovelluksissa.

Akkusovellukset: Akkutekniikoissa AIN-substraatti tarjoaa tehokkaan lämmönhallinnan, mikä parantaa turvallisuutta ja suorituskykyä.

Pietsosähköiset sovellukset: Alustan mekaaninen lujuus ja lämpöominaisuudet tukevat erittäin tarkkoja pietsosähköisiä laitteita.

Suuritehoiset moottorit: AIN-substraatin lämmönjohtavuus ja kestävyys lisäävät suuritehoisten moottoreiden tehokkuutta ja käyttöikää.

Kvanttilaskenta: AIN-substraatin tarkat lämmönhallinta- ja sähköeristysominaisuudet tekevät siitä sopivan edistyneisiin kvanttilaskentasovelluksiin.