8 tuuman Epi -alakormus

Semicorex 8 tuuman EPI -alorengas on tärkeä rakenteellinen osa, jota käytetään puolijohteiden epitaksilaitteisiin ja joka on erityisesti suunniteltu täydellisen alttiiden kokoonpanon alarenkaana. Pohjärengas tukee kiekkojen kantojärjestelmää kiekon epitaksiaalisen kasvun aikana samalla kun se lisää mekaanisen stabiilisuutta, lämmön tasaisuutta ja prosessin eheyttä, joita tarvitaan korkean suorituskyvyn puolijohdekiekkojen valmistukseen. Alarengas on valmistettu korkean puhtaan grafiitista, joka on päällystetty pintatasolla, piidikarbidin (sic) tiheällä ja tasaisella päällysteellä. Seurauksena on, että se edustaa erittäin luotettavaa vaihtoehtoa edistyneille epitaksiaalireaktoreille äärimmäisissä lämpö- ja kemiallisissa olosuhteissa.

Grafiitti on alarenkaan sopivin perusmateriaali sen kevyen, erinomaisen lämpöjohtimen ja ei-kompleksirakenteen vuoksi tangentiaalisten ja pystysuuntaisten mittojen stabiilisuuden vuoksi korkeassa lämpötilassa. Nämä ominaisuudet sallivat alenrenkaan kiertää lämpöä nopeudella ja osoittavat siksi mekaanisen suorituskyvyn jatkuvuuden käytön aikana. SIC-ulkopinnoite levitetään käyttämällä kemiallisen höyryn laskeutumisprosessia (CVD) tiheän ja vikavapaan keraamisen ulkokerroksen valmistamiseksi. Lisäksi CVD -prosessi tarjoaa prosessin, joka rajoittaa kulumista ja hiukkasten muodostumista käsittelemällä sic -pinnoite varoen, ettei ole häiritä taustalla olevaa substraattigrafiittia. SIC: n ja grafiitin yhdistymisenä sic -pintakerros on kemiallisesti inertti prosessikaasujen syövyttävään vaikutukseen, etenkin vety- ja kloorattujen sivutuotteiden kanssa, ja sillä on sekä erinomainen kovuus että kulumisvastus - varmistaen mahdollisimman paljon tukea kuin mahdollista.

8 tuuman EPI -alorengas on tehty yhteensopivuuden suhteen useimpien vaakasuorien tai pystysuuntaisten MOCVD- ja CVD -epitaksiaalisten työkalujen kanssa, jotka tallettavat pii-, piikarbidi- tai yhdisteiden puolijohteita. Optimoitu geometria on suunniteltu sopimaan kiekkojen pidikejärjestelmän herkkyyden ja ylimmän komponenttien tarkka kohdistus, yleinen lämmönjakauma ja stabiilisuus kiekkojen pyörimisessä. Renkaan ominaisuuden erinomainen tasaisuus ja samankeskeisyys epitaksiaalikerroksen yhtenäisyyden tuontiin ja kiekkojen pinnalla olevien vikojen minimoimiseen.

Yksi tämän sic -päällystetyn grafiitirenkaan eduista on matala hiukkasten emissiokäyttäytyminen, joka minimoi kiekon saastumisen prosessoinnissa. SIC-kerros alentaa hiilihiukkasten ulkopuolista ja muodostumista verrattuna päällystettyihin grafiittikomponentteihin puhtaan kammioympäristöjen ja korkeampien saannon saavuttamiseksi. Lisäksi komposiittirakenteen erinomainen lämpöiskunkestävyys pidentää tuotteen käyttöikää, vähentää korvaavia ja alhaisempia puolijohdevalmistajien käyttökustannuksia.

Kaikki alusormukset tarkistetaan mitallisesti, pinnan laatu tarkistetaan ja testataan lämpöjakso, jotta voidaan varmistaa, että ne vastaavat puolijohdevalmistuksen ympäristön merkittäviä ympäristötarpeita. Lisäksi sic -pinnan pinnoitteen paksuus on enemmän kuin riittävä mekaaniselle ja lämpöpotentiaalille; SIC -pinnoitteita tutkitaan rutiininomaisesti tarttuvuuskertoimien varalta, jotka varmistavat, että kuorinta tai hiipumista ei tapahdu, kun pohjarenkaat altistetaan korkean lämpötilan laskeutumiselle. Litteä alusormus voidaan räätälöidä harvoilla pienillä ulottuvuuksilla ja päällysteominaisuuksien variaatioilla yksittäisten reaktorin suunnittelu- ja prosessisovelluksille.

Semicorexin puolisko 8 tuuman EPI -alarengas tarjoaa erinomaisen lujuuden tasapainon, kemiallisen resistenssin ja suotuisat lämpöominaisuudet epitaksiaalisten kasvujärjestelmien suhteen. SIC -päällystetyn grafiitin tunnetuista eduista johtuen tämä alengas tarjoaa korkeamman kiekon laadun, pienemmän saastumisen todennäköisyyden ja pidemmän käyttöiän kaikissa korkean lämpötilan laskeutumisprosessissa. Tämä alengas on suunniteltu käytettäväksi Si-, sic- tai III-V-materiaalien epitaksiaalikasvuun; Se on tehty tarjoamaan luotettavaa, toistettavaa mukavuutta vaativan puolijohdemateriaalin tuotannossa.