Yksikiteinen Silicon Epi Susceptor

Single-crystal Silicon Epi Susceptor on olennainen komponentti, joka on suunniteltu Si-GaN-epitaksiprosesseihin, ja se voidaan räätälöidä yksilöllisten spesifikaatioiden ja mieltymysten mukaan, mikä tarjoaa räätälöidyn ratkaisun, joka vastaa täydellisesti tiettyjä vaatimuksia. Riippumatta siitä, liittyykö se mittoihin tai pinnoitteen paksuuden säätämiseen, meillä on kyky suunnitella ja toimittaa tuote, joka mukautuu erilaisiin prosessiparametreihin, mikä optimoi suorituskyvyn kohdistetuissa sovelluksissa. Semicorexin sitoutuminen markkinoiden johtavaan laatuun yhdistettynä kilpailukykyisiin verotuksellisiin näkökohtiin vahvistaa innokkuuttamme luoda kumppanuuksia puolijohdekiekkojen kuljetusvaatimustesi täyttämiseksi.

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

Suskeptorit epitaksiaalisessa kasvuprosessissa edellyttävät kykyä kestää korkeita lämpötiloja ja tiukat kemialliset puhdistustoimenpiteet. Single-crystal Silicon Epi Susceptor on huolellisesti suunniteltu vastaamaan erityisesti näihin vaativiin vaatimuksiin, joita kohdataan epitaksilaitteiden sovelluksissa.

Näissä suskeptoreissa on rakenne, joka sisältää erittäin puhdasta piikarbidilla (SiC) päällystettyä grafiittia, joka antaa vertaansa vailla olevan lämmönkestävyyden varmistaen tasaisen lämmönjakauman tasaisen epitaksikerroksen paksuuden ja kestävyyden takaamiseksi.

Lisäksi Single-crystal Silicon Epi Susceptor osoittaa huomattavan kestävyyden kovia kemiallisia puhdistusaineita vastaan. Hienon SiC-kidepinnoitteen käyttö edistää edelleen koskematonta, sileää pintaa, mikä on ensiarvoisen tärkeää tehokkaan käsittelyn kannalta, koska tahrattomat kiekot joutuvat kosketuksiin suskeptorin kanssa useissa kohdissa koko pinta-alaltaan.

Single-crystal Silicon Epi Susceptorin käyttö varmistaa horjumattoman luotettavuuden ja pidennetyn käyttöiän, mikä vähentää toistuvien vaihtojen tarvetta ja minimoi sen jälkeen sekä seisokit että ylläpitokustannukset. Sen vankka rakenne ja poikkeukselliset käyttöominaisuudet lisäävät merkittävästi prosessin tehokkuutta, mikä viime kädessä vahvistaa tuottavuutta ja kustannustehokkuutta puolijohteiden valmistuksen alueella.