Täydellinen grafiitin epitaksi- ja kiekkojen käsittelyprosessiin, Semicorexin ultrapuhdas monokiteinen pii-epitaksiaalinen suskeptori varmistaa minimaalisen kontaminoitumisen ja tarjoaa poikkeuksellisen pitkän käyttöiän. Tuotteillamme on hyvä hintaetu ja ne kattavat monet Euroopan ja Amerikan markkinat. Odotamme innolla tulevaa pitkäaikaiseksi kumppaniksesi Kiinassa.
Semicorex Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor on grafiittituote, joka on päällystetty korkealla puhdistetulla piikarbidilla, jolla on korkea lämmön- ja korroosionkestävyys. CVD-piikarbidilla päällystetty kantoaine, jota käytetään prosesseissa, jotka muodostavat puolijohdekiekkojen epitaksiaalisen kerroksen, jolla on korkea lämmönjohtavuus ja erinomaiset lämmönjako-ominaisuudet.
Monokiteinen pii-epitaksiaalinen suskeptorimme on suunniteltu saavuttamaan paras laminaarinen kaasuvirtauskuvio, mikä varmistaa lämpöprofiilin tasaisuuden. Tämä auttaa estämään kontaminaatiota tai epäpuhtauksien leviämistä varmistaen korkealaatuisen epitaksiaalisen kasvun kiekon sirulla.
Ota yhteyttä jo tänään saadaksesi lisätietoja yksikiteisestä pii-epitaksiaalisesta suskeptoristamme.
Yksikiteisen piin epitaksiaalisen suskeptorin parametrit
CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot |
||
SiC-CVD-ominaisuudet |
||
Kristallirakenne |
FCC β -vaihe |
|
Tiheys |
g/cm³ |
3.21 |
Kovuus |
Vickersin kovuus |
2500 |
Jyvän koko |
μm |
2~10 |
Kemiallinen puhtaus |
% |
99.99995 |
Lämpökapasiteetti |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimaatiolämpötila |
℃ |
2700 |
Feleksuaalinen voima |
MPa (RT 4-piste) |
415 |
Youngin moduuli |
Gpa (4 pt bend, 1300â) |
430 |
Lämpölaajeneminen (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Lämmönjohtokyky |
(W/mK) |
300 |
Yksikiteisen pii-epitaksiaalisen suskeptorin ominaisuudet
- Sekä grafiittisubstraatilla että piikarbidikerroksella on hyvä tiheys ja niillä voi olla hyvä suojaava rooli korkeissa lämpötiloissa ja syövyttävissä työympäristöissä.
- Yksikiteiden kasvattamiseen käytetyllä piikarbidilla päällystetyllä suskeptorilla on erittäin korkea pinnan tasaisuus.
- Pienennä lämpölaajenemiskertoimen eroa grafiittisubstraatin ja piikarbidikerroksen välillä, paranna tehokkaasti sidoslujuutta halkeilun ja delaminoitumisen estämiseksi.
- Sekä grafiittisubstraatilla että piikarbidikerroksella on korkea lämmönjohtavuus ja erinomaiset lämmönjako-ominaisuudet.
- Korkea sulamispiste, korkean lämpötilan hapettumisenkestävyys, korroosionkestävyys.