Sic -kantaja ICP: lle

Semicorexsic -päällystetty grafiittikantaja ICP: lle on suunniteltu vastaamaan nykyaikaisten induktiivisesti katkaistujen plasman (ICP) etsaus- ja laskeutumistyökalujen vaatimuksiin. Sen ytimessä on omistettu, pienen esteen grafiittisubstraatti, jonka kidesuuntausta on tiukasti kontrolloitu tuottamaan poikkeuksellista anisotrooppista käyttäytymistä: tason lämmönjohtavuus ylittää huomattavasti tavanomaiset isostaattiset asteet, kun taas tason polku pysyy tarkoituksellisesti moderoituna tukahduttamaan kuumia pisteitä. Tämä suuntauslämpökyvyn hallinta varmistaa, että jokainen suulakkeessa 150–300 mm: n kiekko kokee tasaisen lämpötilan rampin ja tasaisen valtion tasapainon, kääntäen suoraan kapeampaan kriittisen jakautumisen (CD) jakaumiin ja suurempaan laitteen satoon.

Tämän ultravärisen grafiitin ympärille kääritty on konformaalinen piikarbidikerros, joka on otettu yhdessä korkean vääntö -CVD -uuniin. SIC -pinnoite - kemiallisesti inertti 2 000 ° C: seen ja ylpeilee alle 0,1%: n mikro -palkkaluokasta - muodostaa läpäisemättömän suojan fluori-, kloori- ja bromiradikaaleja vastaan, jotka ovat yleisiä korkean disensiteetin ICP -kemikaalissa. Pitkä kestävyystestaus CF₄/O₂-, CL₂/BCL₃- ja HBR/He -plasmoissa on osoittanut, että eroosionopeus on alle 0,3 umper100Hours, pidentäen kantolaitteen käyttöikää huomattavasti teollisuuden normien ulkopuolelle ja vähentäen dramaattisesti ennaltaehkäisevää hoitamista.

Mitta tarkkuus on yhtä tinkimätön: pinnan tasaisuutta säädetään ± 5 um: n sisällä koko taskualueella, kun taas reunan poissulkemisominaisuudet ovat laserilla kiekkojen suojaamiseksi kiekkojen kehän suojaamiseksi mikroliitokselta. Tiukka toleranssi yhdistettynä SiC -päällysteen lähellä olevaan kovuuteen, se kestää hiukkasten muodostumista mekaanisella kiinnitys- ja sähköstaattisen köyhäyklin aikana, suojaamalla ala -10 nm -solmuprosesseja tappajavian saastumisesta. Korkean voiman ICP -reaktorien kannalta kantoaalton matala sähkövastus (<40 μω · m) edistää RF -maaperän tason stabilointia, minimoimalla vaippajännitevaihtelut, jotka voivat muuten pilata fotoresistisia profiileja tai indusoida mikro -masking.

Jokainen puolipuhelun kantajien erä käy läpi kattavan metrologian - raman kartoituksen grafiittikristallografisen kohdistuksen, SEM -poikkileikkauksen varmistamiseksi sic -kerroksen eheyden ja jäännös -kaasanalyysin varmistamiseksi PPM -tason epäpuhtauskynnysten varmentamiseksi. Koska vaadimme mikroluuntuotantoa (vähemmän kuin 20 kappaletta kohden), tilastolliset prosessinhallintakaaviot pysyvät poikkeuksellisen tiukasti, jolloin voimme taata kiekko -wafer -toistettavuuden, jota massamarkkinoiden toimittajat eivät yksinkertaisesti pysty vastaamaan. Mukautetut geometriat, taskusyvyydet ja takaosan jäähdytyskanavat ovat saatavana niin lyhyinä lävistä kuin kolme viikkoa, mikä antaa laitteiden valmistajille ja korkean sekoituksen FABS: lle kammion reseptien optimoimiseksi uudelleen suunnittelematta kokonaisia laitteistopinoja.

Yhdistämällä maailmanluokan anisotrooppinen grafiitti, jolla on hermeettinen sic -panssari, ICP: n puolikorex -sic -kantaja tarjoaa FABS: lle pitkäikäisen, saastuttamisen välisen ja termisesti yhdenmukaisen alustan - yhden, joka ei vain kestä kovimpia plasmaympäristöjä, vaan aktiivisesti parantaa prosessiikkunan leveyttä ja die -tason suorituskykyä. Laitevalmistajille, jotka pyrkivät jatkuvasti tiiviin linjan leveyteen, jyrkemään profiiliin ja halvempaan omistamiskustannukseen, se on valinta, jossa jokainen mikroni, jokainen kiekko ja jokainen käyttöajan tunti.