ICP piihiilipinnoitettu grafiitti

Semicorexin ICP Silicon Carbon Coated Graphite on ihanteellinen valinta vaativiin kiekkojen käsittelyyn ja ohutkalvopinnoitusprosesseihin. Tuotteellamme on erinomainen lämmön- ja korroosionkestävyys, tasainen lämpötasaisuus ja optimaaliset laminaariset kaasuvirtauskuviot.

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

Epitaksiaalisessa kasvuprosessoinnissa käytettävien kiekkojen kantoaineiden on kestettävä korkeita lämpötiloja ja kovaa kemiallista puhdistusta. Semicorex ICP Silicon Carbon Coated Graphite -suskeptorit on suunniteltu erityisesti näitä vaativia epitaksialaitteita varten. Tuotteemme on suunniteltu kestämään korkeita lämpötiloja ja kovaa kemiallista puhdistusta, mikä takaa pitkän käyttöiän ja optimaalisen tuloksen.
ICP Silicon Carbon Coated Graphite on suunniteltu saavuttamaan paras laminaarinen kaasuvirtauskuvio, mikä varmistaa lämpöprofiilin tasaisuuden. Tämä auttaa estämään kontaminaatiota tai epäpuhtauksien leviämistä varmistaen korkealaatuisen epitaksiaalisen kasvun kiekon sirulla.
Ota yhteyttä jo tänään saadaksesi lisätietoja ICP-piihiilipäällystetystä grafiitistamme.

ICP-piihiilipinnoitetun grafiitin parametrit

CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot
SiC-CVD-ominaisuudet
Kristallirakenne	FCC p-vaihe
Tiheys	g/cm³	3.21
Kovuus	Vickersin kovuus	2500
Raekoko	μm	2~10
Kemiallinen puhtaus	%	99.99995
Lämpökapasiteetti	J kg-1 K-1	640
Sublimaatiolämpötila	℃	2700
Feleksuaalinen voima	MPa (RT 4-piste)	415
Youngin Modulus	Gpa (4 pt bend, 1300 ℃)	430
Lämpölaajeneminen (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Lämmönjohtavuus	(W/mK)	300