SiC-pohjaisen ja Si-pohjaisen GaN:n käyttöalueita ei ole tiukasti erotettu toisistaan. GaN-On-SiC-laitteissa SiC-substraatin hinta on suhteellisen korkea, ja SiC-pitkäkideteknologian kypsymisen myötä laitteen kustannusten odotetaan laskevan edelleen ja sitä käytetään tehoelektroniikan alan teholaitt......
Lue lisääHiljattain mitattu bulkki-3C-SiC:n lämmönjohtavuus on tuumamittakaavan suurten kiteiden joukossa toiseksi korkein, sijoittuen juuri timantin alapuolelle. Piikarbidi (SiC) on laajakaistainen puolijohde, jota käytetään laajalti elektronisissa sovelluksissa, ja sitä esiintyy useissa kiteisissä muodoiss......
Lue lisääTaiwanin Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) on ilmoittanut suunnitelmistaan rakentaa 300 mm:n kiekkotehdas Japaniin yhteistyössä SBI Holdingsin kanssa. Tämän yhteistyön tarkoituksena on vahvistaa Japanin kotimaista IC:n (integroidut piirit) toimitusketjua keskittyen erityisesti t......
Lue lisää