Puolijohdeteollisuudessa epitaksiaalisilla kerroksilla on ratkaiseva rooli muodostamalla erityisiä yksikiteisiä ohuita kalvoja kiekkosubstraatin päälle, joita kutsutaan yhteisesti epitaksiaaltoiksi kiekkoiksi. Erityisesti piikarbidin (SiC) epitaksiaaliset kerrokset, joita kasvatetaan johtavilla SiC-......
Lue lisääEpitaksiaalinen kasvu viittaa prosessiin, jossa substraatille kasvatetaan kristallografisesti hyvin järjestetty yksikiteinen kerros. Yleisesti ottaen epitaksiaalinen kasvu sisältää kidekerroksen viljelyn yksikiteisellä alustalla, jolloin kasvatetulla kerroksella on sama kristallografinen orientaatio......
Lue lisääSähköajoneuvojen maailmanlaajuisen hyväksynnän kasvaessa vähitellen piikarbidi (SiC) kohtaa uusia kasvumahdollisuuksia tulevalla vuosikymmenellä. Tehopuolijohteiden valmistajien ja autoteollisuuden operaattoreiden odotetaan osallistuvan entistä aktiivisemmin tämän alan arvoketjun rakentamiseen.
Lue lisääLaajakaistaisena (WBG) puolijohdemateriaalina SiC:n suurempi energiaero antaa sille paremmat lämpö- ja elektroniset ominaisuudet verrattuna perinteiseen SiC:hen. Tämä ominaisuus mahdollistaa teholaitteiden toiminnan korkeammissa lämpötiloissa, taajuuksilla ja jännitteillä.
Lue lisää