Sähköajoneuvojen maailmanlaajuisen hyväksynnän kasvaessa vähitellen piikarbidi (SiC) kohtaa uusia kasvumahdollisuuksia tulevalla vuosikymmenellä. Tehopuolijohteiden valmistajien ja autoteollisuuden operaattoreiden odotetaan osallistuvan entistä aktiivisemmin tämän alan arvoketjun rakentamiseen.
Lue lisääNykyaikaisessa elektroniikassa, optoelektroniikan, mikroelektroniikan ja tietotekniikan aloilla puolijohdesubstraatit ja epitaksiaaliteknologiat ovat välttämättömiä. Ne tarjoavat vankan perustan tehokkaiden ja erittäin luotettavien puolijohdelaitteiden valmistukseen. Teknologian kehittyessä myös puo......
Lue lisääLaajakaistaisena (WBG) puolijohdemateriaalina SiC:n suurempi energiaero antaa sille paremmat lämpö- ja elektroniset ominaisuudet verrattuna perinteiseen SiC:hen. Tämä ominaisuus mahdollistaa teholaitteiden toiminnan korkeammissa lämpötiloissa, taajuuksilla ja jännitteillä.
Lue lisääPiikarbidilla (SiC) on erinomaisten sähköisten ja lämpöominaisuuksiensa ansiosta tärkeä rooli tehoelektroniikan ja suurtaajuuslaitteiden valmistuksessa. SiC-kiteiden laatu ja dopingtaso vaikuttavat suoraan laitteen suorituskykyyn, joten dopingin tarkka hallinta on yksi piikarbidin kasvuprosessin ava......
Lue lisää