Liquid Phase Epitaxy (LPE) -reaktorijärjestelmä

Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactor System on innovatiivinen tuote, joka tarjoaa erinomaisen lämpösuorituskyvyn, tasaisen lämpöprofiilin ja erinomaisen pinnoitteen tarttuvuuden. Sen korkea puhtaus, korkean lämpötilan hapettumisenkestävyys ja korroosionkestävyys tekevät siitä ihanteellisen valinnan käytettäväksi puolijohdeteollisuudessa. Sen muokattavissa olevat vaihtoehdot ja kustannustehokkuus tekevät siitä erittäin kilpailukykyisen tuotteen markkinoilla.

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

Liquid Phase Epitaxy (LPE) -reaktorijärjestelmämme on erittäin luotettava ja kestävä tuote, joka tarjoaa erinomaisen vastineen rahalle. Sen korkean lämpötilan hapettumisenkestävyys, tasainen lämpöprofiili ja kontaminaatioesto tekevät siitä ihanteellisen korkealaatuisen epitaksiaalikerroksen kasvattamiseen. Sen alhaiset huoltotarpeet ja muokattavuus tekevät siitä erittäin kilpailukykyisen tuotteen markkinoilla.

Semicorexilla keskitymme tarjoamaan asiakkaillemme korkealaatuisia ja kustannustehokkaita tuotteita. Liquid Phase Epitaxy (LPE) -reaktorijärjestelmällämme on hintaetu, ja sitä viedään monille Euroopan ja Amerikan markkinoille. Haluamme olla pitkäaikainen kumppanisi, joka toimittaa tasalaatuisia tuotteita ja poikkeuksellista asiakaspalvelua.

Ota yhteyttä jo tänään saadaksesi lisätietoja Liquid Phase Epitaxy (LPE) -reaktorijärjestelmästämme.

Liquid Phase Epitaxy (LPE) -reaktorijärjestelmän parametrit

CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot
SiC-CVD-ominaisuudet
Kristallirakenne	FCC Î² -vaihe
Tiheys	g/cm³	3.21
Kovuus	Vickersin kovuus	2500
Jyvän koko	Î¼m	2~10
Kemiallinen puhtaus	%	99.99995
Lämpökapasiteetti	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimaatiolämpötila	℃	2700
Feleksuaalinen voima	MPa (RT 4-piste)	415
Youngin moduuli	Gpa (4 pt bend, 1300â)	430
Lämpölaajeneminen (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Lämmönjohtokyky	(W/mK)	300

Liquid Phase Epitaxy (LPE) -reaktorijärjestelmän ominaisuudet

- Sekä grafiittisubstraatilla että piikarbidikerroksella on hyvä tiheys ja niillä voi olla hyvä suojaava rooli korkeissa lämpötiloissa ja syövyttävissä työympäristöissä.

- Yksikiteiden kasvattamiseen käytetyllä piikarbidilla päällystetyllä suskeptorilla on erittäin korkea pinnan tasaisuus.

- Pienennä lämpölaajenemiskertoimen eroa grafiittisubstraatin ja piikarbidikerroksen välillä, paranna tehokkaasti sidoslujuutta halkeilun ja delaminoitumisen estämiseksi.

- Sekä grafiittisubstraatilla että piikarbidikerroksella on korkea lämmönjohtavuus ja erinomaiset lämmönjako-ominaisuudet.

- Korkea sulamispiste, korkean lämpötilan hapettumisenkestävyys, korroosionkestävyys.