Induktiivisesti kytketty plasma (ICP)

Semicorexin piikarbidilla päällystetty suskeptori induktiivisesti kytkettyä plasmaa (ICP) varten on suunniteltu erityisesti korkean lämpötilan kiekkojen käsittelyprosesseihin, kuten epitaksiin ja MOCVD:hen. Vakaalla, korkeissa lämpötiloissa jopa 1600 °C:n hapettumiskestävillä kantoaineillamme varmistetaan tasaiset lämpöprofiilit, laminaariset kaasuvirtauskuviot ja estetään kontaminaatiota tai epäpuhtauksien diffuusiota.

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

Tarvitsetko kiekkotelinettä, joka kestää korkeita lämpötiloja ja ankaria kemiallisia ympäristöjä? Älä etsi kauempaa kuin Semicorexin piikarbidilla päällystetty suskeptori induktiivisesti kytkettyä plasmaa (ICP) varten. Kantoaineissamme on hieno SiC-kidepinnoite, joka tarjoaa erinomaisen lämmönkestävyyden, tasaisen lämpötasaisuuden ja kestävän kemiallisen kestävyyden.
Ota yhteyttä jo tänään saadaksesi lisätietoja SiC-suskeptoristamme induktiivisesti kytkettyä plasmaa (ICP) varten.

Suskeptorin parametrit induktiivisesti kytketylle plasmalle (ICP)

CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot
SiC-CVD-ominaisuudet
Kristallirakenne	FCC p-vaihe
Tiheys	g/cm³	3.21
Kovuus	Vickersin kovuus	2500
Raekoko	μm	2~10
Kemiallinen puhtaus	%	99.99995
Lämpökapasiteetti	J kg-1 K-1	640
Sublimaatiolämpötila	℃	2700
Feleksuaalinen voima	MPa (RT 4-piste)	415
Youngin Modulus	Gpa (4 pt bend, 1300 ℃)	430
Lämpölaajeneminen (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Lämmönjohtavuus	(W/mK)	300