- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Induktiivisesti kytketty plasma (ICP)
Semicorexin piikarbidilla päällystetty suskeptori induktiivisesti kytkettyä plasmaa (ICP) varten on suunniteltu erityisesti korkean lämpötilan kiekkojen käsittelyprosesseihin, kuten epitaksiin ja MOCVD:hen. Vakaa, korkeiden lämpötilojen hapettumiskestävyys jopa 1600 °C:een asti, kantajamme takaavat tasaiset lämpöprofiilit, laminaariset kaasuvirtauskuviot ja estävät kontaminaatiota tai epäpuhtauksien diffuusiota.
Lähetä kysely
Tuotteen Kuvaus
Tarvitsetko kiekkotelinettä, joka kestää korkeita lämpötiloja ja ankaria kemiallisia ympäristöjä? Älä etsi kauempaa kuin Semicorexin piikarbidilla päällystetty suskeptori induktiivisesti kytkettyä plasmaa (ICP) varten. Kantoaineissamme on hieno SiC-kidepinnoite, joka tarjoaa erinomaisen lämmönkestävyyden, tasaisen lämmön tasaisuuden ja kestävän kemiallisen kestävyyden.
Ota yhteyttä jo tänään saadaksesi lisätietoja SiC-suskeptoristamme induktiivisesti kytkettyä plasmaa (ICP) varten.
Suskeptorin parametrit induktiivisesti kytketylle plasmalle (ICP)
|
CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot |
||
|
SiC-CVD-ominaisuudet |
||
|
Kristallirakenne |
FCC β -vaihe |
|
|
Tiheys |
g/cm³ |
3.21 |
|
Kovuus |
Vickersin kovuus |
2500 |
|
Jyvän koko |
μm |
2~10 |
|
Kemiallinen puhtaus |
% |
99.99995 |
|
Lämpökapasiteetti |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
|
Sublimaatiolämpötila |
℃ |
2700 |
|
Feleksuaalinen voima |
MPa (RT 4-piste) |
415 |
|
Youngin moduuli |
Gpa (4 pt bend, 1300â) |
430 |
|
Lämpölaajeneminen (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
|
Lämmönjohtokyky |
(W/mK) |
300 |
Piikarbidilla päällystetyn suskeptorin ominaisuudet induktiivisesti kytketylle plasmalle (ICP)
- Vältä irroitumista ja varmista, että kaikki pinnat ovat pinnoitettuja
Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys: Stabiili korkeissa lämpötiloissa aina 1600°C asti
Korkea puhtaus: valmistettu CVD-kemiallisella höyrypinnoituksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa.
Korroosionkestävyys: korkea kovuus, tiheä pinta ja hienojakoisia hiukkasia.
Korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.
- Saavuta paras laminaarinen kaasuvirtauskuvio
- Takaa lämpöprofiilin tasaisuus
- Estä kontaminaatio tai epäpuhtauksien leviäminen
Hot Tags: Induktiivisesti kytketty plasma (ICP), Kiina, valmistajat, toimittajat, tehdas, räätälöity, irtotavarana, edistynyt, kestävä
Tuotemerkki
Aiheeseen liittyvä luokka
Tynnyri suskeptori
PSS-etsausteline
ICP-etsausteline
RTP-operaattori
MOCVD-suskeptori
Yksikiteinen pii
LED-epitaksiaalinen suskeptori
SiC Epitaxy
GaN SiC Epitaxyssa
Vohvelilämmitin
Pannukakkususceptori
Si Epitaksi
Aurinkosähköosat
Lähetä kysely
Ole hyvä ja lähetä kyselysi alla olevalla lomakkeella. Vastaamme sinulle 24 tunnin kuluessa.
