Koti > Tuotteet > Piikarbidipinnoitettu > Tynnyrivastaanotin > CVD:n epitaksiaalinen kerrostuminen tynnyrireaktoriin
CVD:n epitaksiaalinen kerrostuminen tynnyrireaktoriin

CVD:n epitaksiaalinen kerrostuminen tynnyrireaktoriin

Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor on erittäin kestävä ja luotettava tuote epiksiaalisten kerrosten kasvattamiseen kiekkolastuille. Sen korkean lämpötilan hapettumisenkestävyys ja korkea puhtaus tekevät siitä sopivan käytettäväksi puolijohdeteollisuudessa. Sen tasainen lämpöprofiili, laminaarinen kaasuvirtauskuvio ja kontaminaatioesto tekevät siitä ihanteellisen valinnan korkealaatuiseen epiksiaalikerroksen kasvattamiseen.

Lähetä kysely

Tuotteen Kuvaus

CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor on korkean suorituskyvyn tuote, joka on suunniteltu tarjoamaan luotettavaa suorituskykyä äärimmäisissä ympäristöissä. Sen erinomainen pinnoitteen tarttuvuus, korkean lämpötilan hapettumisenkestävyys ja korroosionkestävyys tekevät siitä erinomaisen valinnan käytettäväksi ankarissa ympäristöissä. Lisäksi sen tasainen lämpöprofiili, laminaarinen kaasuvirtauskuvio ja kontaminaation esto takaavat epiksiaalikerroksen korkean laadun.

Semicorexilla keskitymme tarjoamaan asiakkaillemme korkealaatuisia ja kustannustehokkaita tuotteita. CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactorillamme on hintaetu, ja sitä viedään monille Euroopan ja Amerikan markkinoille. Haluamme olla pitkäaikainen kumppanisi, joka toimittaa tasalaatuisia tuotteita ja poikkeuksellista asiakaspalvelua.


CVD-epitaksiaalisen kerrostuksen parametrit tynnyrireaktorissa

CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät tiedot

SiC-CVD-ominaisuudet

Kristallirakenne

FCC p-vaihe

Tiheys

g/cm³

3.21

Kovuus

Vickersin kovuus

2500

Raekoko

μm

2~10

Kemiallinen puhtaus

%

99.99995

Lämpökapasiteetti

J kg-1 K-1

640

Sublimaatiolämpötila

2700

Feleksuaalinen voima

MPa (RT 4-piste)

415

Youngin Modulus

Gpa (4 pt bend, 1300 ℃)

430

Lämpölaajeneminen (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Lämmönjohtavuus

(W/mK)

300


CVD-epitaksiaalisen kerrostuksen ominaisuudet tynnyrireaktorissa

- Sekä grafiittisubstraatilla että piikarbidikerroksella on hyvä tiheys ja niillä voi olla hyvä suojaava rooli korkeissa lämpötiloissa ja syövyttävissä työympäristöissä.

- Yksikiteiden kasvattamiseen käytetyllä piikarbidilla päällystetyllä suskeptorilla on erittäin korkea pinnan tasaisuus.

- Pienennä lämpölaajenemiskertoimen eroa grafiittisubstraatin ja piikarbidikerroksen välillä, paranna tehokkaasti sidoslujuutta halkeilun ja delaminoitumisen estämiseksi.

- Sekä grafiittisubstraatilla että piikarbidikerroksella on korkea lämmönjohtavuus ja erinomaiset lämmönjako-ominaisuudet.

- Korkea sulamispiste, korkean lämpötilan hapettumisenkestävyys, korroosionkestävyys.




Hot Tags: CVD-epitaksiaalinen kerrostaminen tynnyrireaktorissa, Kiina, valmistajat, toimittajat, tehdas, räätälöity, irtotavarana, edistynyt, kestävä
Aiheeseen liittyvä luokka
Lähetä kysely
Ole hyvä ja lähetä kyselysi alla olevalla lomakkeella. Vastaamme sinulle 24 tunnin kuluessa.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept