> Uutiset > Teollisuuden uutisia

Teollisuuden uutisia

GaN Single Crystal

Puolijohdeteknologia on ollut nykyaikaisen sivilisaation selkäranka, ja se on muuttanut perinpohjaisesti tapaamme elää, työskennellä ja olla vuorovaikutuksessa maailman kanssa. Se on mahdollistanut ennennäkemättömän edistyksen eri aloilla, mukaan lukien tietotekniikka, energia, tietoliikenne ja terv......

Lue lisää

Piikarbidikeramiikka: välttämätön materiaali erittäin tarkkoihin komponentteihin puolijohteiden valmistuksessa

Puolijohteiden valmistus, nykyaikaisen teknologisen kehityksen kulmakivi, etsii jatkuvasti pienempiä, nopeampia ja tehokkaampia integroituja piirejä. Tämä säälimätön pyrkimys lisää tarvetta entistä tarkempiin ja kehittyneempiin valmistusprosesseihin, joissa jokainen vaihe on vahvasti riippuvainen ko......

Lue lisää

Mikä on grafitointiaste?

Grafitisoitumisaste on olennainen mitta, jota käytetään arvioitaessa, kuinka lähellä hiiliatomit muodostavat tiiviisti pakatun kuusikulmainen grafiittikiderakenne.

Lue lisää

Ohutkalvon kasvuprosessi

Tavalliset ohutkalvot jaetaan pääasiassa kolmeen luokkaan: puolijohdeohutkalvot, dielektriset ohutkalvot ja metalli/metalliseosohutkalvot.

Lue lisää

3C-SiC:n heteroepitaksia: Yleiskatsaus

3C-SiC:n, merkittävän piikarbidin polytyypin, kehitys heijastaa puolijohdemateriaalitieteen jatkuvaa kehitystä. 1980-luvulla Nishino et al. ensin saavutettiin 4 μm paksu 3C-SiC-kalvo piisubstraatille käyttämällä kemiallista höyrypinnoitusta (CVD)[1], mikä loi perustan 3C-SiC-ohutkalvoteknologialle.

Lue lisää

Yksikiteinen pii vs. monikiteinen pii

Yksikiteisellä piillä ja monikiteisellä piillä on kummallakin omat ainutlaatuiset etunsa ja soveltuvat skenaariot. Yksikidepii soveltuu korkean suorituskyvyn elektroniikkatuotteisiin ja mikroelektroniikkaan erinomaisten sähköisten ja mekaanisten ominaisuuksiensa ansiosta. Monikiteinen pii sen sijaan......

Lue lisää

<...5 6 7 8 9...22 >