- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Teollisuuden uutisia
Piikarbidisovellukset
Piikarbidilla on lukuisia sovelluksia kehittyvillä teollisuudenaloilla ja perinteisillä teollisuudenaloilla. Tällä hetkellä maailmanlaajuiset puolijohdemarkkinat ovat ylittäneet 100 miljardia yuania. Puolijohdevalmistusmateriaalien maailmanlaajuisen myynnin odotetaan saavuttavan vuoteen 2025 menness......
Lue lisää
Johdatus piikarbidi-ionien istutus- ja hehkutusprosessiin
Perinteisessä piiteholaitteiden valmistuksessa korkean lämpötilan diffuusio ja ioni-implantaatio ovat ensisijaiset menetelmät lisäaineen hallintaan, jokaisella on etunsa ja haittansa. Tyypillisesti korkean lämpötilan diffuusiolle on tunnusomaista sen yksinkertaisuus, kustannustehokkuus, isotrooppise......
Lue lisää
Menetelmä piikarbidijauheen valmistamiseksi
Piikarbidi (SiC) on epäorgaaninen aine. Luonnossa esiintyvän piikarbidin määrä on hyvin pieni. Se on harvinainen mineraali ja sitä kutsutaan moissaniitiksi. Teollisessa tuotannossa käytettävä piikarbidi on enimmäkseen keinotekoisesti syntetisoitua.
Lue lisää
Epitaksiaaliset kerrokset: Kehittyneiden puolijohdelaitteiden perusta
Puolijohdeteollisuudessa epitaksiaalisilla kerroksilla on ratkaiseva rooli muodostamalla erityisiä yksikiteisiä ohuita kalvoja kiekkosubstraatin päälle, joita kutsutaan yhteisesti epitaksiaaltoiksi kiekkoiksi. Erityisesti piikarbidin (SiC) epitaksiaaliset kerrokset, joita kasvatetaan johtavilla SiC-......
Lue lisää
Epitaksiaalisten kerrosten ratkaiseva rooli puolijohdelaitteissa
Epitaksiaalinen kasvu viittaa prosessiin, jossa substraatille kasvatetaan kristallografisesti hyvin järjestetty yksikiteinen kerros. Yleisesti ottaen epitaksiaalinen kasvu sisältää kidekerroksen viljelyn yksikiteisellä alustalla, jolloin kasvatetulla kerroksella on sama kristallografinen orientaatio......
Lue lisää
