Äskettäin Infineon Technologies ilmoitti onnistuneesti kehittäneensä maailman ensimmäisen 300 mm:n tehoisen galliumnitridi (GaN) -kiekkoteknologian.
Yksikiteisen piin valmistuksessa käytetyt kolme ensisijaista menetelmää ovat Czochralskin (CZ) menetelmä, Kyropoulos-menetelmä ja Float Zone (FZ) -menetelmä.
Hapetusprosesseilla on ratkaiseva rooli tällaisten ongelmien estämisessä luomalla kiekkoon suojaava kerros, joka tunnetaan nimellä oksidikerros, joka toimii esteenä eri kemikaalien välillä.
Piinitridi (Si3N4) on avainmateriaali kehittyneen korkean lämpötilan rakennekeramiikan kehittämisessä.
Etsausprosessi: pii vs. piikarbidi
Puolijohteiden valmistuksessa etsausprosessin tarkkuus ja vakaus ovat ensiarvoisen tärkeitä. Yksi kriittinen tekijä korkealaatuisen syövytyksen saavuttamisessa on varmistaa, että kiekot ovat täysin tasaisesti alustalla prosessin aikana.