Mikä on puolijohdekiekko?
Puolijohdekiekko on ohut, pyöreä siivu puolijohdemateriaalia, joka toimii perustana integroitujen piirien (IC) ja muiden elektronisten laitteiden valmistuksessa. Kiekko muodostaa tasaisen ja tasaisen pinnan, jolle on rakennettu erilaisia elektronisia komponentteja.
Kiekkojen valmistusprosessi sisältää useita vaiheita, mukaan lukien suuren yksittäiskiteen kasvattaminen halutusta puolijohdemateriaalista, kiteen leikkaaminen ohuiksi kiekoiksi timanttisahalla ja sitten kiekkojen kiillotus ja puhdistus mahdollisten pintavirheiden tai epäpuhtauksien poistamiseksi. Tuloksena olevilla kiekoilla on erittäin tasainen ja sileä pinta, mikä on ratkaisevan tärkeää myöhemmissä valmistusprosesseissa.
Kun kiekot on valmistettu, ne läpikäyvät sarjan puolijohteiden valmistusprosesseja, kuten fotolitografiaa, syövytystä, pinnoitusta ja seostusta, jotta voidaan luoda monimutkaisia kuvioita ja kerroksia, joita tarvitaan elektronisten komponenttien rakentamiseen. Nämä prosessit toistetaan useita kertoja yhdellä kiekolla useiden integroitujen piirien tai muiden laitteiden luomiseksi.
Kun valmistusprosessi on valmis, yksittäiset lastut erotetaan kuutioimalla kiekko ennalta määritettyjä linjoja pitkin. Erotetut sirut pakataan sitten suojaamaan niitä ja tarjoamaan sähköliitännät integroitaviksi elektronisiin laitteisiin.
Erilaisia materiaaleja kiekoissa
Puolijohdekiekot valmistetaan ensisijaisesti yksikiteisestä piistä sen runsauden, erinomaisten sähköisten ominaisuuksien ja yhteensopivuuden vuoksi tavallisten puolijohteiden valmistusprosessien kanssa. Tietyistä sovelluksista ja vaatimuksista riippuen kiekkojen valmistukseen voidaan kuitenkin käyttää myös muita materiaaleja. Tässä on joitain esimerkkejä:
Piikarbidi (SiC): SiC on laajakaistainen puolijohdemateriaali, joka tunnetaan erinomaisesta lämmönjohtavuudestaan ja suorituskyvystään korkeissa lämpötiloissa. SiC-kiekkoja käytetään suuritehoisissa elektronisissa laitteissa, kuten tehomuuntimissa, inverttereissä ja sähköajoneuvojen komponenteissa.
Galliumnitridi (GaN): GaN on laajakaistainen puolijohdemateriaali, jolla on poikkeukselliset tehonkäsittelyominaisuudet. GaN-kiekkoja käytetään tehoelektroniikkalaitteiden, suurtaajuusvahvistimien ja LEDien (light-emitting diodien) tuotannossa.
Galliumarsenidi (GaAs): GaAs on toinen yleinen materiaali, jota käytetään kiekoissa, erityisesti suurtaajuisissa ja nopeissa sovelluksissa. GaAs-kiekot tarjoavat paremman suorituskyvyn tietyille elektronisille laitteille, kuten RF- (radiotaajuus) ja mikroaaltouunilaitteille.
Indiumfosfidi (InP): InP on materiaali, jolla on erinomainen elektronien liikkuvuus, ja sitä käytetään usein optoelektronisissa laitteissa, kuten lasereissa, valoilmaisimissa ja nopeissa transistoreissa. InP-kiekot sopivat sovelluksiin kuituoptisessa viestinnässä, satelliittiviestinnässä ja nopeassa tiedonsiirrossa.
Semicorex tarjoaa erityyppisiä 4H- ja 6H-SiC-kiekkoja. Olemme valmistaneet ja toimittaneet piikarbidituotteita useiden vuosien ajan. 4 tuuman N-tyypin SiC-alustallamme on hyvä hintaetu ja se kattaa suurimman osan Euroopan ja Amerikan markkinoista. Odotamme innolla tulevaa pitkäaikaiseksi kumppaniksesi Kiinassa.
Lue lisääLähetä kyselySemicorex tarjoaa erityyppisiä 4H- ja 6H-SiC-kiekkoja. Olemme valmistaneet ja toimittaneet piikarbidituotteita useiden vuosien ajan. Kaksoiskiillotetulla 6 tuuman puolieristävällä HPSI SiC -kiekkollamme on hyvä hintaetu ja se kattaa suurimman osan Euroopan ja Amerikan markkinoista. Odotamme innolla tulevaa pitkäaikaiseksi kumppaniksesi Kiinassa.
Lue lisääLähetä kyselySemicorex tarjoaa erityyppisiä 4H- ja 6H-SiC-kiekkoja. Olemme valmistaneet ja toimittaneet kiekkoalustoja useiden vuosien ajan. 4 tuuman erittäin puhtaalla puolieristävällä HPSI SiC kaksipuolisella kiillotetulla kiekkoalustallamme on hyvä hintaetu ja se kattaa suurimman osan Euroopan ja Amerikan markkinoista. Odotamme innolla tulevaa pitkäaikaiseksi kumppaniksesi Kiinassa.
Lue lisääLähetä kysely