TaC-pinnoitettu Halfmoon

Semicorex TaC -pinnoitettu Halfmoon säilyttää rakenteellisen eheytensä ja kemiallisen inerttisyytensä korkeissa lämpötiloissa (jopa 2200°C), joita piikarbidiepitaksia vaatii. Tämä varmistaa tasaisen lämpösuorituskyvyn ja estää ei-toivotut reaktiot prosessikaasujen tai lähdemateriaalien kanssa. Ja se voidaan suunnitella optimoimaan lämmönjohtavuus ja emissiokyky, mikä edistää tasaista lämmön jakautumista suskeptorin pinnalla. Tämä johtaa homogeenisempiin kiekkojen lämpötilaprofiileihin ja parantuneeseen yhtenäisyyteen epitaksiaalisessa kerroksen paksuudessa ja dopingpitoisuudessa. Lisäksi TaC-pinnoitetun Halfmoonin lämpölaajenemiskerroin voidaan räätälöidä vastaamaan tarkasti SiC:n lämpölaajenemiskerrointa, mikä minimoi lämpörasituksen lämmitys- ja jäähdytysjaksojen aikana. Tämä vähentää kiekkojen taipumista ja vikojen muodostumisen riskiä, ​​mikä lisää laitteen tuottoa.

TaC-pinnoitettu Halfmoon pidentää merkittävästi grafiittisuskeptorien käyttöikää verrattuna päällystämättömiin/SiC-päällystettyihin vaihtoehtoihin. Parannettu piikarbidin kerrostumisen ja lämpöhajoamisen vastustuskyky vähentää puhdistusjaksojen ja vaihtojen tiheyttä, mikä alentaa kokonaistuotantokustannuksia.

Edut SiC-laitteen suorituskyvylle:

Parannettu laitteen luotettavuus ja suorituskyky:TaC-päällysteisellä Halfmoonilla kasvatettujen epitaksiaalisten kerrosten parannettu tasaisuus ja pienempi vikatiheys johtavat korkeampiin laitteen tuottoon ja parempaan suorituskykyyn läpilyöntijännitteen, päällekytkentävastuksen ja kytkentänopeuden suhteen.

Kustannustehokas ratkaisu suuren volyymin valmistukseen:Pidentynyt käyttöikä, pienemmät huoltovaatimukset ja parempi kiekkojen laatu edistävät SiC-teholaitteiden kustannustehokkaampaa valmistusprosessia.

Semicorex TaC -pinnoitettu Halfmoon on ratkaisevassa roolissa piikarbidin epitaksian edistämisessä vastaamalla keskeisiin haasteisiin, jotka liittyvät materiaalien yhteensopivuuteen, lämmönhallintaan ja prosessikontaminaatioon. Tämä mahdollistaa korkealaatuisten SiC-kiekkojen valmistuksen, mikä johtaa tehokkaampiin ja luotettavampiin tehoelektroniikkalaitteisiin sähköajoneuvojen, uusiutuvan energian ja muiden vaativien teollisuudenalojen sovelluksiin.