SiC melat

Semicorex SiC -lapat ovat kiekkojen "kannattimia", jotka vievät kiekot yli 1000 celsiusastetta kuumempiin uuneihin. Tämä on niiden tärkein etu: korkea puhtaus, korkeiden lämpötilojen vakaus, mekaanisen jäykkyyden säilyttäminen näytettä kuljetettaessa äärimmäisissä ympäristöissä. Erittäin puhtaat materiaalit estävät metallien epäpuhtaudet saastuttamasta kiekkoa; niin myös korkean lämpötilan stabiiliuspiikarbidi, koska se säilyttää kemiallisen stabiilisuuden prosessointilämpötiloissa, jotka estävät metallien epäpuhtauksien tai hiukkasten vapautumisen saastuttamasta kiekkoa, mikä varmistaa vakaan kiekon saannon. Lopuksi,ulokkeet melatovat myös yhteensopivia integroitujen kiekkojen siirtojärjestelmien kanssa, mikä vähentää entisestään riippuvuutta ihmisistä ja lisää suorituskykyä.

SiC-päitsimet ovat kantajan ainutlaatuinen komponentti, erityisesti puolijohdekiekon kuljetukseen ja integrointiin erätyökuormaan prosesseissa, kuten korkean lämpötilan hapetuksessa ja diffuusiossa. Valmistettu korkealla puhtaudellapiikarbidi (SiC), SiC-päitsimet tarjoavat lämpövakauden, mekaanisen lujuuden ja kemiallisen kestävyyden varmistaakseen vakaan kuljetuksen yli 1000 °C:n lämpötiloissa. SiC-päitsimiä tarvitaan kiekkojen käsittelyyn: se varmistaa, että herkät alustat voidaan käsitellä asianmukaisesti säilyttäen samalla eheyden ja johdonmukaisuuden koko hapetus-, diffuusio- ja hehkutusprosessin ajan.

Kestäväksi ja luotettaviksi suunnitellut SiC-melat ovat uloketyyppisiä varsia, jotka pitävät kiinni kiekkoveneistä tai kiekkopinoista. Lapa tukee kiekkoja, kun niitä asetetaan tai poistetaan prosessikammiosta. Perinteiset materiaalit epäonnistuvat näissä korkeissa lämpötiloissa muodonmuutoksen, vääntymisen tai kemiallisen hajoamisen vuoksi. Piikarbidin mekaaninen vakaus ja rakenteellinen eheys mahdollistavat melan selviytymisen useista lämpösykleistä menettämättä muotoaan tai toimintaansa. Tämä ominaisuus on tärkeä uunin linjauksen ylläpitämiseksi, sen varmistamiseksi, että kiekot eivät vaurioidu prosessin aikana ja kalliiden seisokkien minimoimiseksi.

SiC-päitsimien lämpöstabiilisuutta täydentää sen erinomainen kemiallinen kestävyys reaktiivisille kaasuille, joita yleensä ilmenee hapettumis- ja diffuusioprosesseissa (esim. happi, kloori ja muut aggressiiviset lajit korkeassa lämpötilassa). Monet materiaalit tuhoutuvat tai saastuvat, kun ne altistuvat sekä korkealle lämpötilalle että hapelle. Piikarbidi on kemiallisesti inerttiä ja sen tiheä mikrorakenne varmistaa, että kemiallisia reaktioita ei tapahdu, mikä tarjoaa sekä melan rakenteellisen eheyden että puhtaan ympäristön kiekolle. Tästä aiheutuva kontaminaatioriski on minimoitu puolijohdevalmistajille, jotka toimivat joissakin edistyneimmissä prosessisolmuissa, joissa jopa kontaminaation hivenaineet voivat aiheuttaa merkittäviä muutoksia laitteen suorituskykyyn.

SiC-päitsimiin liittyvä mekaaninen eheys tarjoaa arvoa myös käsittelyprosesseissa. Ulokerakennemuoto vaatii materiaalia, joka kestää kerrospinojen painot ja joka ei taipu tai painu. Piikarbidin erittäin korkea moduuli ja erittäin korkea kovuus tekevät siitä hyvän huomion vaadittavan mekaanisen rakenteellisen toiminnan kannalta. SiC Paddle säilyttää sekä litteyden että rakenteen myös kiekoilla kuormitettuna. Tämä tarkoittaa uunin ja sen olosuhteiden jatkuvaa valvontaa pitkien tuotantojaksojen aikana.