SiC-pinnoitetut grafiittiupokkaat

Asennettu korkean lämpötilan kiteenkasvatusuunien keskelle,SiC-pinnoitettugrafiittiupokkaat toimivat yhdessä lämmittimien, lämmöneristysholkkien, virtauksen ohjausputkien ja upokkaan akselien kanssa muodostaen täydellisen lämpökenttäjärjestelmän. Tämä lämpökenttäjärjestelmä voi ylläpitää vakaata korkean lämpötilan ympäristöä, joka on välttämätön kiteen kasvulle.

Piikarbidin tuotantografiitti upokkaatalkaa tavallisesti käyttämällä edistynyttä kemiallista höyrypinnoitusteknologiaa tiiviin kerrostamiseksi tasaisestipiikarbidipinnoite muodostuneen grafiittisubstraatin pinnalle. Koostuu erittäin puhtaastagrafiittisubstraatti ja tiheä piikarbidipinnoite, SiC-pinnoitettu grafiittiupokas muodostaa synergistisen rakenteen, joka yhdistää grafiitin lämmönjohtavuuden piikarbidin korroosionkestävyyteen.

Czochralskin menetelmä on universaali teollinen tekniikka kiteen kasvattamiseen. Tämä tekniikka kohdistaa keskipakovoiman upokkaaseen kiteen valmistuksen aikana. SiC-pinnoitettujen grafiittiupokkaiden ylivoimainen taivutuslujuus ja sitkeys voivat estää murtumisen tai halkeilun nopean pyörimisen aikana, mikä vähentää tehokkaasti upokkaan vaurioiden aiheuttamia tuotantokatkoksia. Lisäksi upokkaiden on läpikäytävä rajut lämpötilanvaihtelut lyhyen ajan sisällä tämän prosessin aikana. Huomattavan lämpöiskunkestävyyden ansiosta SiC-pinnoitetut grafiittiupokkaat voivat vähentää lämpörasitukseen liittyviä rakenteellisia vaurioita, varmistaa niiden muodon pysyvyyden, mikä vähentää upokkaan muodonmuutosten aiheuttamia kiteiden kasvuvirheitä.

Safsızlıklar: Safsızlıklar, tek kristallerin performansını ve verimini doğrudan etkiler. Bu nedenle safsızlık içeriği