Huokoinen tantaalikarbidikeramiikka

Semicorex-huokoinen tantaalikarbidikeramiikka on erittäin korkean lämpötilan keraaminen materiaali, jonka sulamispiste on noin 3880 ℃ ja joka voi säilyttää vakaan suorituskyvyn haastavissa korkean lämpötilan ja korkean korroosion käyttöympäristöissä seuraavien erinomaisten suorituskykyominaisuuksien ansiosta.

1. Erinomainen lämpöominaisuus

Semicorexin huokoisen maksimi käyttölämpötilatantaalikarbidi keramiikkavoi olla jopa 3200 ℃, ja se voi toimia vakaasti korkean lämpötilan piikarbidikiteiden kasvuolosuhteissa pitkään ilman muodonmuutoksia tai pehmenemistä.

2. Poikkeuksellinen kemiallinen stabiilisuus

Semicorex-huokoisella tantaalikarbidikeramiikalla on parempi korroosionkestävyys ja hapettumisenkestävyys kuin perinteisellä keramiikalla. Se kestää tehokkaasti korkean lämpötilan hapen ja Si-höyryn korroosiota kiteen kasvuprosessissa.

3. Erityinen huokoinen rakenne

Semicorex-huokoisessa tantaalikarbidikeramiikassa on tasaisesti jakautuneet sisähuokoset, joiden huokoisuus on 10-60 % (muokattavissa) ja läpihuokoisuus yli 98 %. Tämä erityinen rakenne mahdollistaa kaasufaasielementtien, kuten Si ja C, virtauksen ja diffundoitumisen tasaisesti kiteenkasvatusuunin sisällä, mikä helpottaa suuresti korkealaatuisten kiteiden kasvua.

Käyttö piikarbidikiteiden kasvattamiseen

Piikarbidikiteiden kasvun aikana PVT-prosessin kautta, Semicorex-huokoinen tantaalikarbidikeramiikka toimii ensisijaisesti höyryfaasielementtisuodatuksessa, uunin lämpötilagradientin säätelyssä ja kaasun materiaalivirtauksen ohjauksessa. Poikkeaa perinteisistä huokoisista TaC-pinnoitetuista grafiittimateriaaleista, Semicorex-huokoisella tantaalikarbidikeramiikalla on selkeitä etuja: Se eliminoi huokoisenTaC-pinnoitettu grafiittimateriaalien haittana on pinnoitekäsittelyn aiheuttama alhainen huokosnopeus, samalla kun vältetään huokoisten TaC-pinnoitettujen grafiittimateriaalien käytön aikana havaittu pinnoitteen kuoriutumisen kipupiste. Käyttämällä Semicorexin huokoista tantaalikarbidikeramiikkaa voit tehokkaasti estää hiiliinkluusiovirheitä piikarbidikiteiden kasvussa, mikä parantaa merkittävästi kiteen kasvun laatua ja tuotteen saantoa.