Infineon julkistaa maailman ensimmäisen 300 mm:n Power GaN -kiekon

Äskettäin Infineon Technologies ilmoitti onnistuneesti kehittäneensä maailman ensimmäisen 300 mm:n tehoisen galliumnitridi (GaN) -kiekkoteknologian. Tämä tekee heistä ensimmäisen yrityksen, joka hallitsee tämän uraauurtavan teknologian ja saavuttaa massatuotannon olemassa olevissa suuren mittakaavan ja suuren kapasiteetin tuotantoympäristöissä. Tämä innovaatio merkitsee merkittävää edistystä GaN-pohjaisilla tehopuolijohdemarkkinoilla.

Miten 300 mm:n tekniikka verrataan 200 mm:n tekniikkaan?

200 mm:n tekniikkaan verrattuna 300 mm:n kiekkojen käyttö mahdollistaa 2,3 kertaa enemmän GaN-sirujen tuotantoa kiekkoa kohden, mikä parantaa merkittävästi tuotannon tehokkuutta ja tuottoa. Tämä läpimurto ei ainoastaan ​​vahvista Infineonin johtajuutta sähköjärjestelmien alalla, vaan myös nopeuttaa GaN-teknologian nopeaa kehitystä.

Mitä Infineonin toimitusjohtaja sanoi tästä saavutuksesta?

Infineon Technologiesin toimitusjohtaja Jochen Hanebeck totesi: "Tämä merkittävä saavutus osoittaa vankkaa vahvuuttamme innovaatioissa ja on osoitus globaalin tiimimme hellittämättömistä ponnisteluista. Uskomme vakaasti, että tämä teknologinen läpimurto muuttaa alan normeja ja vapauttaa GaN-teknologian täyden potentiaalin. Lähes vuosi GaN Systemsin hankinnan jälkeen osoitamme jälleen päättäväisyytemme johtaa nopeasti kasvavilla GaN-markkinoilla. Energiajärjestelmien johtavana yrityksenä Infineon on saavuttanut kilpailuetua kolmessa avainmateriaalissa: pii, piikarbidi ja GaN.

Infineonin toimitusjohtaja Jochen Hanebeck pitää hallussaan yhtä maailman ensimmäisistä 300 mm:n GaN Power -kiekot, jotka on valmistettu olemassa olevassa ja skaalautuvassa suuren volyymin valmistusympäristössä

Miksi 300 mm GaN-tekniikka on edullinen?

Yksi 300 mm:n GaN-teknologian merkittävä etu on, että se voidaan valmistaa olemassa olevilla 300 mm:n piin valmistuslaitteistoilla, koska GaN:lla ja piillä on yhtäläisyyksiä valmistusprosesseissa. Tämän ominaisuuden avulla Infineon voi integroida saumattomasti GaN-teknologian nykyisiin tuotantojärjestelmiinsä, mikä nopeuttaa tekniikan käyttöönottoa ja soveltamista.

Missä Infineon on tuottanut menestyksekkäästi 300 mm GaN-kiekkoja?

Tällä hetkellä Infineon on valmistanut menestyksekkäästi 300 mm:n GaN-kiekkoja olemassa olevilla 300 mm:n piituotantolinjoilla voimalaitoksessaan Villachissa, Itävallassa. 200 mm:n GaN-teknologian ja 300 mm:n piituotannon vakiintuneen perustan pohjalta yritys on edelleen laajentanut teknologisia ja tuotantokykyään.

Mitä tämä läpimurto tarkoittaa tulevaisuuden kannalta?

Tämä läpimurto ei ainoastaan ​​tuo esiin Infineonin vahvuuksia innovaatioissa ja laajamittaisessa tuotantokapasiteetissa, vaan luo myös vankan pohjan tehopuolijohdeteollisuuden tulevalle kehitykselle. GaN-teknologian kehittyessä Infineon jatkaa edelleen markkinoiden kasvua ja vahvistaa entisestään johtavaa asemaansa maailmanlaajuisessa puolijohdeteollisuudessa.**