Mikä on piikarbidi (SiC)?

Puolijohdemateriaalit voidaan jakaa kolmeen sukupolveen aikajärjestyksen mukaan. Ensimmäinen sukupolvi germaniumista, piistä ja muista yleisistä monomateriaaleista, jolle on ominaista kätevä kytkentä, jota käytetään yleisesti integroiduissa piireissä. Toisen sukupolven galliumarsenidi, indiumfosfidi ja muut yhdistepuolijohteet, joita käytetään pääasiassa valoa lähettäviin ja viestintämateriaaleihin. Kolmannen sukupolven puolijohteet sisältävät pääasiassapiikarbidi, galliumnitridi ja muut yhdistepuolijohteet ja timantit ja muut erityiset monomateriaalit. Kolmannen sukupolven puolijohteilla on parempi jännitevastus ja ne ovat ihanteellisia materiaaleja suuritehoisille laitteille. Kolmannen sukupolven puolijohteet ovat pääasiassapiikarbidija galliumnitridimateriaalit. Kuten kolmannen sukupolven puolijohteiden yleensä leveämpi kaistaväli, joten paine, lämmönkestävyys on parempi, käytetään yleisesti suuritehoisissa laitteissa. Heidän joukossa,piikarbidion vähitellen tullut laajamittaiseen käyttöön teholaitteiden alalla,piikarbididiodit, MOSFETit ovat aloittaneet kaupalliset sovellukset.

Edutpiikarbidi

1, vahvempi korkeajännite-ominaisuudet: kentän voimakkuuspiikarbidion yli 10 kertaa piin tuotantoon verrattunapiikarbidihuomattavasti korkeampia kuin piilaitteiden vastaavat suurjänniteominaisuudet.

2, paremmat korkean lämpötilan ominaisuudet:piikarbidipiihin verrattuna on korkeampi lämmönjohtavuus, mikä tekee laitteesta helpommin haihduttavan lämpöä, käyttölämpötilan raja on korkeampi. Korkean lämpötilan ominaisuudet voivat lisätä tehotiheyttä merkittävästi ja samalla vähentää jäähdytysjärjestelmän vaatimuksia, jolloin päätelaite voi olla kevyempi ja pienemmäksi.

3, pienempi energiahäviö:piikarbidisillä on 2 kertaa piin kyllästymiselektronien ryömintänopeuspiikarbidilaitteilla on erittäin pieni päällekytkentävastus, pieni on-tilahäviö;piikarbidion 3 kertaa piin kiellettyä kaistanleveyttäpiikarbidilaitteiden vuotovirta kuin piilaitteissa vähentää merkittävästi tehohäviötä;piikarbidilaitteita sammutusprosessissa ei ole olemassa nykyisessä perässä ilmiö, kytkentähäviö on pieni, mikä parantaa huomattavasti todellista Sovelluksen kytkentätaajuus on parantunut huomattavasti.