Mikä on MOCVD-järjestelmä?

MOCVD, joka tunnetaan nimellä Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), on tekniikka ohuiden puolijohdekalvojen kasvattamiseksi alustalle. MOCVD:n avulla voidaan kerrostaa erittäin tarkasti monia nanokerroksia, joista kukin on säädellyllä paksuudella, ja muodostaa materiaaleja, joilla on tietyt optiset ja sähköiset ominaisuudet.

MOCVD-järjestelmä on eräänlainen kemiallinen höyrypinnoitusjärjestelmä (CVD), joka käyttää metalliorgaanisia esiasteita ohuiden materiaalikalvojen kerrostamiseen alustalle. Järjestelmä koostuu reaktoriastiasta, kaasunsyöttöjärjestelmästä, substraatin pidikkeestä ja lämpötilan säätöjärjestelmästä. Metalliset orgaaniset prekursorit syötetään reaktoriastiaan kantokaasun mukana, ja lämpötilaa valvotaan huolellisesti korkealaatuisen ohuen kalvon kasvun varmistamiseksi.

MOCVD:n käytöllä on useita etuja muihin pinnoitustekniikoihin verrattuna. Yksi etu on, että se mahdollistaa monimutkaisten materiaalien kerrostamisen ohuiden kalvojen paksuuden ja koostumuksen tarkan hallinnan avulla. Tämä on erityisen tärkeää korkean suorituskyvyn puolijohdelaitteiden tuotannossa, jossa ohutkalvojen materiaaliominaisuudet voivat vaikuttaa merkittävästi laitteen suorituskykyyn.

Toinen MOCVD:n etu on, että sitä voidaan käyttää ohuiden kalvojen kerrostamiseen erilaisille alustoille, mukaan lukien pii, safiiri ja galliumarsenidi. Tämä joustavuus tekee siitä olennaisen prosessin useiden puolijohdelaitteiden valmistuksessa tietokonesiruista LEDeihin.

MOCVD-järjestelmiä käytetään laajalti puolijohdeteollisuudessa, ja ne ovat auttaneet monien kehittyneiden teknologioiden kehittämisessä. Esimerkiksi MOCVD:tä on käytetty tehokkaiden LEDien tuottamiseen valaistus- ja näyttösovelluksiin sekä tehokkaiden aurinkokennojen tuottamiseen aurinkosähkösovelluksiin.