Mikä on SiC-epitaksi?

Silicon Carbide (SiC) epitaksi on keskeinen teknologia puolijohteiden alalla, erityisesti suuritehoisten elektronisten laitteiden kehittämisessä. SiC on yhdistelmäpuolijohde, jolla on laaja kaistaväli, mikä tekee siitä ihanteellisen sovelluksiin, jotka vaativat korkean lämpötilan ja korkeajännitteistä toimintaa.

SiC epitaksi on prosessi, jossa kasvatetaan ohut kerros kiteistä materiaalia substraatille, tyypillisesti piille, käyttämällä kemiallista höyrypinnoitustekniikkaa (CVD) tai molekyylisuihkuepitaksia (MBE). Epitaksiaalisella kerroksella on sama kiderakenne ja suuntaus kuin substraatilla, mikä mahdollistaa korkealaatuisen rajapinnan muodostamisen näiden kahden materiaalin välille.

SiC epitaksia on käytetty laajalti tehoelektroniikan, mukaan lukien teholaitteiden, kuten diodien, transistorien ja tyristorien, kehittämisessä. Näitä laitteita käytetään monenlaisissa sovelluksissa, kuten sähköajoneuvoissa, uusiutuvan energian järjestelmissä ja virtalähteissä.

Viime vuosina on ollut kasvava kiinnostus SiC-epitaksian kehittämiseen suuritehoisten laitteiden valmistukseen sovelluksiin, kuten sähköajoneuvoihin ja uusiutuvan energian järjestelmiin. Näiden laitteiden kysynnän odotetaan kasvavan nopeasti lähivuosina tehokkaampien ja kestävämpien energiajärjestelmien tarpeen vuoksi.

Vastatakseen tähän kysyntään tutkijat ja yritykset investoivat SiC-epitaksiteknologian kehittämiseen keskittyen laadun parantamiseen ja prosessin kustannusten alentamiseen. Jotkut yritykset esimerkiksi kehittävät piikarbidiepitaksia suuremmille alustoille alentaakseen kiekkokohtaisia ​​kustannuksia, kun taas toiset tutkivat uusia tekniikoita vikojen tiheyden vähentämiseksi.

SiC epitaksiaa käytetään myös kehittyneiden antureiden kehittämiseen useisiin sovelluksiin, mukaan lukien kaasu-, lämpötila- ja paineanturi. SiC:llä on ainutlaatuiset ominaisuudet, jotka tekevät siitä ihanteellisen näihin sovelluksiin, kuten stabiilisuus korkeissa lämpötiloissa ja kestävyys ankarissa ympäristöissä.