Vaakasuuntainen SiC-kiekkovene

Semicorex Horizontal SiC Wafer Boatin määrittävä ominaisuus on sen huolellisesti suunniteltu uraarkkitehtuuri, joka on erityisesti räätälöity pitämään kiekot turvallisesti paikoillaan erilaisissa korkean lämpötilan prosesseissa. Tämä tarkka kiekkorajoitus palvelee useita kriittisiä toimintoja:

Kiekon liikkeen eliminointi:Estämällä ei-toivotun liukumisen tai siirtymisen, Horizontal SiC Wafer Boat varmistaa jatkuvan altistumisen prosessikaasuille ja lämpötilaprofiileille, mikä myötävaikuttaa erittäin tasaiseen kiekkojen käsittelyyn ja minimoi vikojen riskin.

Parannettu prosessin yhtenäisyys:Yhdenmukainen kiekkojen sijoittelu johtaa suoraan kriittisten parametrien, kuten kerroksen paksuuden, seostuspitoisuuksien ja pinnan morfologian, erinomaiseen tasaisuuteen. Tämä tarkkuus on erityisen tärkeää sovelluksissa, kuten kemiallinen höyrypinnoitus (CVD) ja diffuusio, joissa pienetkin vaihtelut voivat vaikuttaa merkittävästi laitteen suorituskykyyn.

Pienempi kiekkovaurio:Horizontal SiC Wafer Boatin varma pito minimoi kiekkojen halkeilun, rikkoutumisen tai naarmuuntumisen mahdollisuuden käsittelyn ja kuljetuksen aikana, mikä on välttämätöntä korkean tuoton ylläpitämiseksi ja valmistuskustannusten alentamiseksi.

Tarkan suunnittelunsa lisäksi Horizontal SiC Wafer Boat tarjoaa vakuuttavan yhdistelmän materiaaliominaisuuksia, jotka tekevät siitä ihanteellisen puolijohteiden ja aurinkosähkön valmistukseen:

Äärimmäisen lämmönkestävyys: Horizontal SiC Wafer Boatilla on poikkeuksellisen korkea lujuus ja vakaus korkeissa lämpötiloissa, minkä ansiosta se kestää äärimmäisiä lämpöolosuhteita, joita esiintyy prosesseissa, kuten kiteiden kasvussa, hehkutuksessa ja nopeassa lämpökäsittelyssä (RTP) ilman muodonmuutoksia tai hajoamista.

Erittäin puhdas kontaminaatioiden hallinta:Erittäin puhtaan piikarbidin käyttö varmistaa minimaalisen poistokaasun tai hiukkasten muodostumisen, turvaa herkkien kiekkojen pintojen eheyden ja estää kontaminaatiota, joka voisi vaarantaa laitteen suorituskyvyn.

Poikkeuksellinen kemiallinen stabiilisuus:SiC:n luontainen inertisyys tekee vaakasuorasta piikarbidista erittäin kestävän puolijohteiden ja aurinkosähkön valmistuksessa yleisesti käytettyjen syövyttäviä kaasuja ja kemikaaleja vastaan. Tämä vankka kemiallinen stabiilisuus varmistaa pitkän käyttöiän ja minimoi ristikontaminaation riskin prosessien välillä.

Horizontal SiC Wafer Boatin monipuolisuus ja suorituskyky edut ovat johtaneet sen laajaan käyttöön useissa kriittisissä puolijohteiden ja aurinkosähkön valmistusprosesseissa:

Epitaksiaalinen kasvu:Tarkka kiekkojen sijoittelu ja lämpötilan tasaisuus ovat ratkaisevan tärkeitä korkealaatuisten epitaksiaalisten kerrosten saavuttamiseksi kehittyneissä puolijohdelaiteissa, joten vaakasuuntainen piikarbidikiekkovene on tärkeä työkalu tässä prosessissa.

Diffuusio ja ioni-istutus:Tarkka dopingvalvonta on ensiarvoisen tärkeää puolijohdelaitteiden sähköisten ominaisuuksien määrittelyssä. Horizontal SiC Wafer Boat varmistaa kiekkojen tarkan paikantamisen näiden prosessien aikana, mikä parantaa tasaisuutta ja laitteen suorituskykyä.

Aurinkokennojen valmistus:Horizontal SiC Wafer Boatin korkean lämpötilan ominaisuudet ja kemiallinen kestävyys tekevät siitä ihanteellisen aurinkokennoissa käytettävien piikiekkojen käsittelyyn, mikä lisää aurinkoenergiajärjestelmien tehokkuutta ja pitkäikäisyyttä.